Baki MOCVD dilapisi SiC kemurnian tinggi anti-oksidasi

Katrangan Cekak:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. minangka pemasok utama sing spesialisasine ing bahan habis pakai wafer lan semikonduktor canggih.Kita darmabakti kanggo nyedhiyakake produk sing berkualitas tinggi, bisa dipercaya, lan inovatif kanggo manufaktur semikonduktor,industri fotovoltaiklan bidang liyane sing ana gandhengane.

Lini produk kita kalebu produk grafit sing dilapisi SiC/TaC lan produk keramik, sing kalebu macem-macem bahan kayata silikon karbida, silikon nitrida, lan aluminium oksida lan liya-liyane.

Minangka pemasok sing dipercaya, kita ngerti pentinge bahan habis pakai ing proses manufaktur, lan kita setya ngirim produk sing memenuhi standar kualitas paling dhuwur kanggo nyukupi kabutuhan pelanggan.

Kirim email menyang kita

Rincian Produk

Tag Produk

Katrangan

Perusahaan kita nyedhiyakakeLapisan SiCLayanan proses kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik, lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing diendapkan ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentukLapisan protèktif SiC.

Fitur Utama

1. Tahan oksidasi suhu dhuwur:
Resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.
2. Kemurnian dhuwur: digawe kanthi deposisi uap kimia ing kondisi klorinasi suhu dhuwur.
3. Tahan erosi: atose dhuwur, permukaan kompak, partikel alus.
4. Tahan korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Gandum	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Feleksural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300