Epitaksi silikon karbida (SiC)
Baki epitaksial, sing nyimpen substrat SiC kanggo nuwuhake irisan epitaksial SiC, diselehake ing ruang reaksi lan langsung ngubungi wafer.
Bagean rembulan setengah ndhuwur minangka pembawa kanggo aksesoris liyane saka ruang reaksi peralatan epitaksi Sic, dene bagean rembulan setengah ngisor disambungake menyang tabung kuarsa, ngenalake gas kanggo nggerakake basis susceptor supaya muter. Piranti kasebut bisa dikontrol suhu lan dipasang ing ruang reaksi tanpa kontak langsung karo wafer.
Si epitaksi
Baki kasebut, sing nyimpen substrat Si kanggo nuwuhake irisan epitaksial Si, diselehake ing ruang reaksi lan langsung ngubungi wafer.
Cincin pemanasan awal dumunung ing cincin njaba tray substrat epitaksial Si lan digunakake kanggo kalibrasi lan pemanasan. Cincin iki diselehake ing ruang reaksi lan ora langsung kontak karo wafer.
Susceptor epitaksial, sing nyekel substrat Si kanggo nuwuhake irisan epitaksial Si, diselehake ing ruang reaksi lan langsung ngubungi wafer.
Laras epitaksial minangka komponen kunci sing digunakake ing macem-macem proses manufaktur semikonduktor, umume digunakake ing peralatan MOCVD, kanthi stabilitas termal sing apik banget, tahan kimia lan tahan aus, cocok banget kanggo digunakake ing proses suhu dhuwur. Laras iki ngubungi wafer.
| Sifat fisik Silikon Karbida sing Direkristalisasi | |
| Properti | Nilai Khas |
| Suhu kerja (°C) | 1600°C (karo oksigen), 1700°C (lingkungan sing nyuda) |
| Isi SiC | > 99,96% |
| Konten Si gratis | <0,1% |
| Kapadhetan massal | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porositas sing katon | < 16% |
| Kekuwatan kompresi | > 600 MPa |
| Kekuwatan lentur adhem | 80-90 MPa (20°C) |
| Kekuwatan lentur panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ekspansi termal @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktivitas termal @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulus elastis | 240 GPa |
| Tahan kejut termal | Apik banget |
| Sifat fisik Silikon Karbida sing Disinter | |
| Properti | Nilai Khas |
| Komposisi Kimia | SiC>95%, Si<5% |
| Kapadhetan Massal | >3,07 g/cm³ |
| Porositas sing katon | <0,1% |
| Modulus pecah ing 20℃ | 270 MPa |
| Modulus pecah ing 1200℃ | 290 MPa |
| Kekerasan ing 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| Kekerasan patah tulang ing 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Konduktivitas Termal ing 1200 ℃ | 45 w/m .K |
| Ekspansi termal ing 20-1200 ℃ | 4.5 1 × 10 -6/℃ |
| Suhu kerja maksimal | 1400℃ |
| Tahan kejut termal ing 1200 ℃ | Apik |
| Sifat fisik dhasar film CVD SiC | |
| Properti | Nilai Khas |
| Struktur Kristal | Polikristalin fase β FCC, utamane berorientasi (111) |
| Kapadhetan | 3,21 g/cm³ |
| Kekerasan 2500 | （Muatan 500g） |
| Ukuran Gandum | 2 ~ 10μm |
| Kemurnian Kimia | 99.99995% |
| Kapasitas Panas | 640 J·kg-1·K-1 |
| Suhu Sublimasi | 2700℃ |
| Kekuwatan Fleksibel | 415 MPa RT 4-titik |
| Modulus Young | 430 Gpa 4pt tikungan, 1300℃ |
| Konduktivitas Termal | 300W·m-1·K-1 |
| Ekspansi Termal (CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
Fitur utama
Permukaane kandhel lan ora ana pori-pori.
Kemurnian dhuwur, kandungan total pengotor <20ppm, kedap udara sing apik.
Tahan suhu dhuwur, kekuatan mundhak karo tambahing suhu panggunaan, tekan nilai paling dhuwur ing 2750 ℃, sublimasi ing 3600 ℃.
Modulus elastis sing endhek, konduktivitas termal sing dhuwur, koefisien ekspansi termal sing endhek, lan tahan kejut termal sing apik banget.
Stabilitas kimia sing apik, tahan marang asam, alkali, uyah, lan reagen organik, lan ora ana pengaruhe marang logam cair, terak, lan media korosif liyane. Ora oksidasi sacara signifikan ing atmosfer ing ngisor 400 C, lan tingkat oksidasi mundhak sacara signifikan ing 800 ℃.
Tanpa ngetokake gas apa wae ing suhu dhuwur, piranti iki bisa njaga vakum 10-7mmHg ing suhu sekitar 1800°C.
Aplikasi produk
Wadhah leleh kanggo penguapan ing industri semikonduktor.
Gerbang tabung elektronik daya dhuwur.
Sikat sing kontak karo regulator voltase.
Monokromator grafit kanggo sinar-X lan neutron.
Maneka warna wujud substrat grafit lan lapisan tabung serapan atom.
Efek lapisan karbon pirolitik ing sangisore mikroskop 500X, kanthi permukaan sing utuh lan ditutup rapat.
Lapisan TaC minangka bahan tahan suhu dhuwur generasi anyar, kanthi stabilitas suhu dhuwur sing luwih apik tinimbang SiC. Minangka lapisan tahan korosi, lapisan anti-oksidasi lan lapisan tahan aus, bisa digunakake ing lingkungan ndhuwur 2000C, digunakake sacara wiyar ing bagean ujung panas suhu ultra-dhuwur aerospace, lapangan pertumbuhan kristal tunggal semikonduktor generasi katelu.
| Sifat fisik lapisan TaC | |
| Kapadhetan | 14,3 (g/cm3) |
| Emisivitas spesifik | 0.3 |
| Koefisien ekspansi termal | 6.3 10/K |
| Kekerasan (HK) | HK taun 2000 |
| Resistensi | 1x10-5 Ohm*cm |
| Stabilitas termal | <2500℃ |
| Owah-owahan ukuran grafit | -10~-20um |
| Kekandelan lapisan | Nilai khas ≥220um (35um±10um) |
Bagian CVD SILICON CARBIDE padat diakoni minangka pilihan utama kanggo cincin lan basis RTP/EPI lan bagian rongga etsa plasma sing beroperasi ing suhu operasi sing dibutuhake sistem dhuwur (> 1500°C), syarat kanggo kemurnian utamane dhuwur (> 99,9995%) lan kinerjane apik banget nalika resistensi marang bahan kimia dhuwur banget. Bahan-bahan kasebut ora ngemot fase sekunder ing pinggir butir, saengga komponen kasebut ngasilake partikel sing luwih sithik tinimbang bahan liyane. Kajaba iku, komponen kasebut bisa diresiki nggunakake HF/HCI panas kanthi degradasi sing sithik, sing nyebabake partikel sing luwih sithik lan umur layanan sing luwih dawa.
