Pambuka kanggo Lapisan Silikon Karbida
Lapisan Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) kita minangka lapisan sing awet banget lan tahan aus, cocog kanggo lingkungan sing mbutuhake korosi lan tahan termal sing dhuwur.Lapisan Silikon Karbidaditerapake ing lapisan tipis ing macem-macem substrat liwat proses CVD, sing nawakake karakteristik kinerja sing unggul.
Fitur Utama
● -Kemurnian Luar Biasa: Nduweni komposisi ultra-murni saka99.99995%, kitaLapisan SiCnyuda risiko kontaminasi ing operasi semikonduktor sing sensitif.
● -Resistensi UnggulNduweni ketahanan sing apik banget marang aus lan korosi, saengga cocog kanggo setelan kimia lan plasma sing tantangan.
● -Konduktivitas Termal DhuwurNjamin kinerja sing bisa diandalake ing suhu ekstrem amarga sifat termal sing luar biasa.
● -Stabilitas DimensiNjaga integritas struktural ing macem-macem suhu, amarga koefisien ekspansi termal sing endhek.
● -Kekerasan sing Ditingkatake: Kanthi rating kekerasan40 GPa, lapisan SiC kita tahan banting lan abrasi sing signifikan.
● -Lapisan Permukaan sing AlusNyedhiyakake polesan kaya pangilon, ngurangi generasi partikel lan nambah efisiensi operasional.
Aplikasi
Semicera Lapisan SiCdigunakake ing macem-macem tahapan manufaktur semikonduktor, kalebu:
● -Pabrikasi Chip LED
● -Produksi Polisilikon
● -Pertumbuhan Kristal Semikonduktor
● -Epitaksi Silikon lan SiC
● -Oksidasi lan Difusi Termal (TO&D)
Kita nyedhiyakake komponen sing dilapisi SiC sing digawe saka grafit isostatik kekuatan tinggi, karbon sing diperkuat serat karbon, lan silikon karbida rekristalisasi 4N, sing dirancang khusus kanggo reaktor unggun fluidisasi,Konverter STC-TCS, reflektor unit CZ, prau wafer SiC, dayung wafer SiC, tabung wafer SiC, lan pembawa wafer sing digunakake ing PECVD, epitaksi silikon, proses MOCVD.
Keuntungan
● -Umur sing luwih dawa: Ngurangi wektu henti peralatan lan biaya perawatan kanthi signifikan, nambah efisiensi produksi sakabèhé.
● -Kualitas sing luwih apik: Nggayuh permukaan kanthi kemurnian dhuwur sing dibutuhake kanggo pangolahan semikonduktor, saengga ningkatake kualitas produk.
● -Efisiensi sing tambahNgoptimalake proses termal lan CVD, sing nyebabake wektu siklus sing luwih cendhek lan asil sing luwih dhuwur.
Spesifikasi Teknis
● -StrukturPolikristalin fase β FCC, utamane berorientasi (111)
● -Kapadhetan: 3,21 g/cm³
● -KekerasanKekerasan Vickes 2500 (beban 500g)
● -Ketangguhan Patah: 3.0 MPa·m1/2
● -Koefisien Ekspansi Termal (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -Modulus Elastis(1300℃):435 GPa
● -Ketebalan Film Khas:100 µm
● -Kasar Permukaan:2-10 µm
Data Kemurnian (Diukur nganggo Spektroskopi Massa Pelepasan Cahaya)
| Unsur | ppm | Unsur | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
