Prau Wafer SiC
Prau wafer silikon karbidaPiranti iki minangka piranti sing nahan beban kanggo wafer, utamane digunakake ing proses difusi surya lan semikonduktor. Piranti iki nduweni karakteristik kayata tahan aus, tahan korosi, tahan dampak suhu dhuwur, tahan bombardment plasma, kapasitas bantalan suhu dhuwur, konduktivitas termal sing dhuwur, disipasi panas sing dhuwur, lan panggunaan jangka panjang sing ora gampang bengkok lan deformasi. Perusahaan kita nggunakake bahan silikon karbida kemurnian tinggi kanggo njamin umur layanan lan nyedhiyakake desain khusus, kalebu macem-macem vertikal lan horisontal.prau wafer.
Dayung SiC
Ingdayung kantilever silikon karbidautamane digunakake ing lapisan (difusi) wafer silikon, sing nduweni peran penting ing pemuatan lan transportasi wafer silikon ing suhu dhuwur. Iki minangka komponen kunci sakawafer semikonduktorsistem pemuatan lan nduweni ciri utama ing ngisor iki:
1. Ora owah bentuk ing lingkungan suhu dhuwur lan nduweni gaya pemuatan sing dhuwur ing wafer;
2. Tahan marang kadhemen ekstrem lan panas sing cepet, lan nduweni umur layanan sing dawa;
3. Koefisien ekspansi termal cilik, nambah siklus perawatan lan pembersihan, lan nyuda polusi kanthi signifikan.
Tabung Tungku SiC
Tabung proses silikon karbida, digawe saka SiC kanthi kemurnian dhuwur tanpa rereged logam, ora ngrusak wafer, lan cocok kanggo proses kayata difusi semikonduktor lan fotovoltaik, proses annealing lan oksidasi.
Lengan Robot SiC
Lengen robot SiC, uga dikenal minangka efektor ujung transfer wafer, yaiku lengen robot sing digunakake kanggo ngangkut wafer semikonduktor lan digunakake sacara wiyar ing industri semikonduktor, optoelektronik, lan energi surya. Nggunakake silikon karbida kemurnian tinggi, kanthi kekerasan dhuwur, tahan aus, tahan seismik, panggunaan jangka panjang tanpa deformasi, umur layanan dawa, lan liya-liyane, bisa nyedhiyakake layanan khusus.
Grafit kanggo pertumbuhan kristal
Pelindung panas grafit
Tabung elektroda grafit
Deflektor grafit
Chuck grafit
Kabeh proses sing digunakake kanggo ngembangake kristal semikonduktor beroperasi ing lingkungan suhu dhuwur lan korosif. Zona panas tungku pertumbuhan kristal biasane dilengkapi komponen grafit kanthi kemurnian dhuwur sing tahan panas lan tahan korosi, kayata pemanas grafit, wadah, silinder, deflektor, chuck, tabung, cincin, pemegang, mur, lan liya-liyane. Produk rampung kita bisa entuk kandungan awu kurang saka 5ppm.
Grafit kanggo Epitaksi Semidonduktor
Basis Grafit
Laras Epitaksial Grafit
Basis Epitaksial Silikon Monokri Stalline
Onderdil Grafit MOCVD
Perlengkapan Grafit Semikonduktor
Proses epitaksial nuduhake tuwuhing bahan kristal tunggal ing substrat kristal tunggal kanthi susunan kisi sing padha karo substrat. Iki mbutuhake akeh bagean grafit kanthi kemurnian ultra-dhuwur lan basis grafit kanthi lapisan SIC. Grafit kanthi kemurnian dhuwur sing digunakake kanggo epitaksi semikonduktor duwe macem-macem aplikasi, sing bisa cocog karo peralatan sing paling umum digunakake ing industri. Ing wektu sing padha, nduweni kemurnian sing dhuwur banget, lapisan seragam, umur layanan sing apik banget, lan tahan kimia lan stabilitas termal sing dhuwur banget.
Bahan Isolasi lan liya-liyane
Bahan insulasi termal sing digunakake ing produksi semikonduktor yaiku grafit hard felt, soft felt, foil grafit, bahan komposit karbon, lan liya-liyane. Bahan mentah kita yaiku bahan grafit impor, sing bisa dipotong miturut spesifikasi pelanggan, lan uga bisa didol kanthi utuh. Bahan komposit karbon biasane digunakake minangka pembawa kanggo proses produksi sel monokristal lan polisilikon surya.