Umur Layanan Panjang Pembawa Grafit Dilapisi SiC Kanggo Wafer Surya

Umur Panjang Pembawa Grafit Dilapisi SiC Kanggo Wafer Surya Gambar Unggulan

Katrangan Cekak:

Silikon karbida minangka jinis keramik anyar kanthi kinerja biaya dhuwur lan sifat bahan sing apik banget. Amarga fitur kaya kekuatan lan kekerasan sing dhuwur, tahan suhu dhuwur, konduktivitas termal sing apik lan tahan korosi kimia, Silikon Karbida meh bisa tahan kabeh medium kimia. Mulane, SiC digunakake sacara wiyar ing pertambangan minyak, kimia, mesin lan wilayah udara, malah energi nuklir lan militer duwe tuntutan khusus kanggo SIC. Sawetara aplikasi normal sing bisa ditawakake yaiku cincin segel kanggo pompa, katup lan waja pelindung, lan liya-liyane.

Kirim email menyang kita

Rincian Produk

Tag Produk

Kauntungan

Resistensi oksidasi suhu dhuwur
Tahan korosi sing apik banget
Resistensi abrasi sing apik
Koefisien konduktivitas panas sing dhuwur
Pelumasan mandiri, kapadhetan rendah
Kekerasan dhuwur
Desain sing disesuaikan.

Aplikasi

-Lapangan tahan aus: bushing, plate, nozzle sandblasting, lapisan siklon, laras penggiling, lan liya-liyane...
-Medan Suhu Dhuwur: Pelat siC, Tabung Tungku Pendinginan, Tabung Radian, wadah, Elemen Pemanas, Rol, Balok, Penukar Panas, Pipa Udara Dingin, Nozzle Burner, Tabung Pelindung Termokopel, kapal SiC, Struktur Mobil Kiln, Setter, lsp.
-Semikonduktor Silikon Karbida: Prau wafer SiC, chuck sic, dayung sic, kaset sic, tabung difusi sic, garpu wafer, pelat isap, jalur pandu, lan liya-liyane.
-Bidang Segel Silikon Karbida: kabeh jinis cincin segel, bantalan, bushing, lan liya-liyane.
-Medan Fotovoltaik: Dayung Kantilever, Laras Gerinda, Rol Silikon Karbida, lan liya-liyane.
-Lapangan Baterai Lithium

WAFER (1)

Wafer (2)

Sifat Fisik SiC

Properti	Nilai	Metode
Kapadhetan	3,21 g/cc	Pelampung lan dimensi wastafel
Panas spesifik	0,66 J/g °K	Lampu kilat laser berdenyut
Kekuwatan lentur	450 MPa560 MPa	Tikungan 4 titik, tikungan titik RT4, 1300°
Kekerasan patah tulang	2,94 MPa m1/2	Mikroindentasi
Kekerasan	2800	Vicker's, bobot 500g
Modulus Elastis Modulus Young	450 GPa430 GPa	Bengkok 4 pt, bengkok RT4 pt, 1300 °C
Ukuran butir	2 – 10 µm	SEM

Sifat Termal SiC

Konduktivitas Termal	250 W/m °K	Metode kilat laser, RT
Ekspansi Termal (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Suhu ruangan nganti 950 °C, dilatometer silika

Parameter Teknis

Barang	Unit	Data
Barang	Unit	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Isi SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Isi silikon gratis	%	15	0	0	0	0
Suhu layanan maksimal	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Kapadhetan	g/cm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Porositas mbukak	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Kekuwatan lentur 20℃	Mbak	250	160	380	100	/
Kekuwatan lentur 1200℃	Mbak	280	180	400	120	/
Modulus elastisitas 20℃	IPK	330	580	420	240	/
Modulus elastisitas 1200℃	IPK	300	/	/	200	/
Konduktivitas termal 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Koefisien ekspansi termal	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m²^m2	2115	/	2800	/	/

Lapisan silikon karbida CVD ing permukaan njaba produk keramik silikon karbida sing direkristalisasi bisa tekan kemurnian luwih saka 99,9999% kanggo nyukupi kabutuhan pelanggan ing industri semikonduktor.