Silikon Karbida Massal (SiC) CVD
Ringkesan:CVD (Kerusakan Jantung)silikon karbida curah (SiC)minangka bahan sing akeh digoleki ing peralatan etsa plasma, aplikasi pangolahan termal cepet (RTP), lan proses manufaktur semikonduktor liyane. Sifat mekanik, kimia, lan termal sing luar biasa ndadekake bahan iki cocog kanggo aplikasi teknologi canggih sing mbutuhake presisi lan daya tahan sing dhuwur.
Aplikasi CVD Bulk SiC:SiC curah iku penting banget ing industri semikonduktor, utamane ing sistem etsa plasma, ing ngendi komponen kaya cincin fokus, kepala pancuran gas, cincin pinggiran, lan platen entuk manfaat saka ketahanan korosi lan konduktivitas termal SiC sing luar biasa. Panggunaane ngantiRTP (Regulasi Transaksi)sistem amarga kemampuan SiC kanggo tahan fluktuasi suhu sing cepet tanpa degradasi sing signifikan.
Saliyané piranti etsa, CVDSiC massaldisenengi ing tungku difusi lan proses pertumbuhan kristal, ing ngendi stabilitas termal sing dhuwur lan resistensi marang lingkungan kimia sing atos dibutuhake. Atribut kasebut ndadekake SiC minangka bahan pilihan kanggo aplikasi sing akeh panjaluk sing nglibatake suhu dhuwur lan gas korosif, kayata sing ngemot klorin lan fluor.
Kauntungan saka Komponen SiC Massal CVD:
•Kapadhetan Dhuwur:Kanthi kapadhetan 3,2 g/cm³,SiC massal CVDkomponen kasebut tahan banget marang karusakan lan dampak mekanik.
•Konduktivitas Termal Unggul:Nduweni konduktivitas termal 300 W/m·K, SiC massal kanthi efisien ngatur panas, saengga cocog kanggo komponen sing kena siklus termal ekstrem.
•Resistensi Kimia sing Luar Biasa:Reaktivitas SiC sing kurang karo gas etsa, kalebu bahan kimia berbasis klorin lan fluor, njamin umur komponen sing luwih dawa.
•Resistivitas sing bisa diatur: SiC massal CVDResistivitas bisa disesuaikan ing kisaran 10⁻²–10⁴ Ω-cm, saengga bisa diadaptasi kanggo kabutuhan manufaktur etsa lan semikonduktor tartamtu.
•Koefisien Ekspansi Termal:Kanthi koefisien ekspansi termal 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC massal CVD tahan kejut termal, njaga stabilitas dimensi sanajan sajrone siklus pemanasan lan pendinginan sing cepet.
•Kekuwatan ing Plasma:Paparan plasma lan gas reaktif iku ora bisa dihindari ing proses semikonduktor, nangingSiC massal CVDnawakake ketahanan sing unggul marang korosi lan degradasi, nyuda frekuensi panggantos lan biaya perawatan sakabèhé.
Spesifikasi Teknis:
•Diameter:Luwih saka 305 mm
•Resistivitas:Bisa diatur ing jarak 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Kapadhetan:3,2 g/cm³
•Konduktivitas Termal:300 W/m·K
•Koefisien Ekspansi Termal:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Kustomisasi lan Fleksibilitas:IngSemikonduktor Semicera, kita ngerti manawa saben aplikasi semikonduktor mbutuhake spesifikasi sing beda-beda. Pramila komponen SiC massal CVD kita bisa disesuaikan kanthi lengkap, kanthi resistivitas sing bisa diatur lan dimensi sing disesuaikan kanggo nyesuaikan karo kabutuhan peralatan sampeyan. Apa sampeyan ngoptimalake sistem etsa plasma utawa nggoleki komponen sing awet ing proses RTP utawa difusi, SiC massal CVD kita menehi kinerja sing ora ana tandhingane.
