Wafer Si

Wafer silikon (Wafer Si)

Apa kuwi wafer silikon?

Wafer silikon kuwi lembaran tipis bunder sing digawe kanthi ngethok, nggiling, lan poles ingot silikon monokristalin kemurnian dhuwur; iki dadi bahan substrat dhasar kanggo nggawe sirkuit terpadu, piranti daya, sensor MEMS, komponen fotovoltaik lan optik. Sifat listrik wafer (resistivitas, jinis doping), akurasi geometris (kekandelan, TTV, warpage), lan kualitas permukaan (kasar, ukuran partikel) langsung nemtokake konsistensi asil lan piranti ing proses sabanjure kayata pertumbuhan epitaksial, fotolitografi, lan lapisan; mulane, pemilihan lan keterlacakan wafer penting banget kanggo jalur produksi pelanggan.

Portofolio produk wafer silikon Semicera Laboratory nyakup macem-macem segmen, saka substrat wafer kosong nganti substrat fungsional; iki ngidini kustomisasi macem-macem teknik pertumbuhan kristal, orientasi pemotongan, lan solusi perawatan permukaan adhedhasar proses fabrikasi hilir (epitaksi, oksidasi, ikatan, pangolahan MEMS).

Plini produk

Kategori iki kalebu sub-produk ing ngisor iki, saben kasedhiya ing spesifikasi khusus:

Pproduk

Mfitur-fitur ain

Aplikasi Khas

Film Silikon

Lapisan silikon ultra-tipis kanthi kekandelan sing bisa dikontrol nganti kisaran submikron

Lapisan piranti SOI, sensor film tipis

Substrat Silikon

Kerataan permukaan sing dhuwurpolesan siji utawa loro sisi

MEMS lan piranti daya; pertumbuhan epitaksial; verifikasi proses umum

Wafer Silikon (Standar)

Metode CZrentang resistivitas sing amba

Manufaktur IC, piranti diskrit

Wafer Silikon FZ

Lelehan distrik (tanpa wadah), resistivitas ultra-dhuwur, kandungan oksigen rendah

Piranti daya, detektor, aplikasi frekuensi dhuwur/RF

Wafer Oksida Termal Silikon

SiO sing tuwuh ing lumahinglapisan insulasi kanthi kekandelan sing bisa dikontrol

Riset lapisan isolasi MEMS lan kapasitor/dielektrik

Spesifikasi Teknis Inti

Ing ngisor iki dhaptar rentang spesifikasi umum sing bisa disesuaikan kanggo produk wafer silikon; nilai sing tepat tundhuk karo Formulir Konfirmasi Pesenan:

Parameter

Rentang Khas

Jelasna

Diameter wafer

2"-"12""(50300 mm)

Ndhukung lembar sampel ukuran cilik khusus

Mode pertumbuhan kristal

CZ (metode Czochralski) / FZ (metode peleburan zona)

FZ dirancang kanggo resistivitas ultra-dhuwur lan lingkungan oksigen rendah.

orientasi kristal

(100)(111)(110)

Cocog karo syarat proses hilir

Jinis doping

Tipe-N / Tipe-P

Unsur doping: fosfor, arsenik, boron, lan liya-liyane.

resistivitas

0.00110.000Ω·cm

Proses FZ mbisakake operasi ing wilayah resistensi dhuwur.

penyimpangan kekandelan

±1025 μm (gumantung saka ukuran)

Nalika diametere mundhak, kekandelan standar uga mundhak.

Variasi Ketebalan Total (TTV)

15 μm

Mengaruhi ambane lapangan fotolitografi lan konsistensi ikatan

Luncup/Busur

520 μm

Lembaran format gedhe mbutuhake langkah-langkah kontrol lengkungan sing luwih ketat.

Kekasaran permukaan (Ra)

Skala sub-nanometer (permukaan sing dipoles)

Mengaruhi adhesi film tipis lan kinerja listrik piranti

pangolahan pinggiran

Pinggiran bunder/Chfertundhuk karo standar SEMI

Ngurangi retakan pinggir lan kontaminasi partikel

kahanan permukaan

Poles siji sisi (SSP)/Poles loro sisi (DSP)

DSP cocok kanggo proses fabrikasi bonding lan MEMS.

Cathetan: Metode CZ nggunakake wadah kuarsa kanggo pertumbuhan kristal; proses iki wis mapan lan efektif biaya, nanging oksigen sing dilebokake dening wadah mbatesi nilai resistivitas maksimal. Kosok baline, metode FZ ora nggunakake wadah, sing nyebabake kandungan oksigen sing sithik banget lan ngidini produksi nilai resistivitas sing luwih dhuwur lan luwih seragam.ndadekake cocok banget kanggo aplikasi resistensi dhuwur kayata piranti listrik lan detektor. Bentenane proses manufaktur iki dadi kritéria utama nalika milih bahan utawa metode fabrikasi.

Proses Produksi lan Pengujian

 

Kabeh proses ditindakake ing lingkungan kamar resik sing dikontrol; kanggo kabeh proses kritis, cathetan data inspeksi rinci dijaga kanggo njamin parameter sing konsisten lan bisa dilacak ing antarane batch.

Aarea aplikasi

Apa sebabe milih kita?

 

Pitakonan sing Kerep Ditakoni (FAQ)

P: Kepriye carane milih antarane wafer silikon CZ lan wafer silikon FZ?

A: Kanggo aplikasi sing biaya dadi perhatian utama lan syarat resistivitas kalebu ing kisaran endhek nganti menengah, wafer silikon CZ minangka pilihan sing luwih ekonomis; Nanging, kanggo aplikasi (kayata, piranti daya utawa detektor voltase dhuwur) sing mbutuhake resistivitas sing dhuwur banget lan seragam bebarengan karo kandungan oksigen sing endhek banget, wafer silikon FZ disaranake.

P: Apa bedane polesan siji sisi (SSP) lan polesan loro sisi (DSP)?

A: SSP nduweni polesan permukaan kaya pangilon ing sisih siji lan nawakake biaya sing luwih murah, saengga cocok kanggo proses epitaksial lan fotolitografi konvensional; DSP nduweni permukaan sing dipoles ing loro-lorone, sing nyedhiyakake kerataan sing luwih dhuwur lan kebersihan sisih mburi sing unggul, lan umume digunakake ing ikatan, aplikasi MEMS, utawa proses ing ngendi syarat kualitas sisih mburi sing ketat ditindakake.

P: Apa layanan iki ndhukung dimensi non-standar utawa prototipe batch cilik?

A: DhukunganDiameter, kekandelan, orientasi kristalografi, lan perawatan permukaan bisa disesuaikan miturut pelanggan'gambar utawa syarat spesifikasi; spesimen sampel bakal diwenehake kanggo verifikasi sadurunge nerusake produksi massal.

P: Kepiye carane kita bisa ngonfirmasi manawa parameter wafer memenuhi syarat lini produksi kita?

A: Disaranake nyedhiyakake rentang resistivitas target, orientasi kristal, toleransi kekandelan, syarat TTV/defleksi, lan kondisi permukaan (SSP/DSP); adhedhasar spesifikasi kasebut, kita bakal nyedhiyakake rekomendasi pilihan lan laporan pengujian.

Nyuwun Penawaran lan Dokumentasi Teknis

Kanggo entuk kutipan kanggo spesifikasi wafer silikon tartamtu, undhuh lembar parameter teknis produk, utawa ngrembug solusi non-standar sing disesuaikan, kirim panjaluk sampeyan liwat"Hubungi Kami",kita bakal nanggapi sajrone 24 jam.