Katrangan
Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses pelapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik, lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bisa reaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing diendapkan ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan pelindung SIC.

Fitur Utama
1. Grafit dilapisi SiC kemurnian tinggi
2. Tahan panas sing unggul & keseragaman termal
3. Dilapisi kristal SiC sing alus kanggo permukaan sing alus
4. Daya tahan dhuwur nglawan reresik kimia
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadhetan | g/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran Gandum | μm | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuwatan Feleksural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Young | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |





