Pambuka kanggo Lapisan TaC CVD:
Lapisan TaC CVD minangka teknologi sing nggunakake deposisi uap kimia kanggo ngendhegake lapisan tantalum karbida (TaC) ing permukaan substrat. Tantalum karbida minangka bahan keramik kinerja dhuwur kanthi sifat mekanik lan kimia sing apik banget. Proses CVD ngasilake film TaC sing seragam ing permukaan substrat liwat reaksi gas.
Fitur utama:
Kekerasan lan tahan aus sing apik bangetTantalum karbida nduweni atose sing dhuwur banget, lan CVD TaC Coating bisa ningkatake ketahanan aus substrat kanthi signifikan. Iki ndadekake lapisan iki cocog kanggo aplikasi ing lingkungan sing tahan aus dhuwur, kayata alat pemotong lan cetakan.
Stabilitas Suhu DhuwurLapisan TaC nglindhungi komponen tungku lan reaktor kritis ing suhu nganti 2200°C, nuduhake stabilitas sing apik. Lapisan iki njaga stabilitas kimia lan mekanik ing kahanan suhu ekstrem, saengga cocok kanggo pangolahan suhu dhuwur lan aplikasi ing lingkungan suhu dhuwur.
Stabilitas kimia sing apik bangetTantalum karbida nduweni ketahanan korosi sing kuwat marang umume asam lan alkali, lan CVD TaC Coating bisa kanthi efektif nyegah kerusakan substrat ing lingkungan korosif.
Titik leleh dhuwurTantalum karbida nduwèni titik leleh sing dhuwur (kurang luwih 3880°C), saéngga Lapisan TaC CVD bisa digunakaké ing kahanan suhu sing dhuwur banget tanpa leleh utawa rusak.
Konduktivitas termal sing apik bangetLapisan TaC nduwèni konduktivitas termal sing dhuwur, sing mbantu mbuwang panas kanthi efektif ing proses suhu dhuwur lan nyegah panas banget lokal.
Aplikasi potensial:
• Komponen reaktor CVD epitaksial Galium Nitrida (GaN) lan Silikon Karbida kalebu pembawa wafer, piring satelit, pancuran, langit-langit, lan susceptor
• Komponen pertumbuhan kristal silikon karbida, galium nitrida, lan aluminium nitrida (AlN) kalebu wadah, wadhah wiji, cincin pandu, lan filter
• Komponen industri kalebu elemen pemanas resistensi, nozel injeksi, cincin masking lan jig brazing
Fitur aplikasi:
• Suhu stabil ing ndhuwur 2000°C, saéngga bisa dioperasikake ing suhu ekstrem
•Tahan marang hidrogen (Hz), amonia (NH3), monosilane (SiH4) lan silikon (Si), nyedhiyakake perlindungan ing lingkungan kimia sing atos
• Tahan kejut termal ndadekake siklus operasi luwih cepet
• Grafit nduwèni adhesi sing kuwat, njamin umur layanan sing dawa lan ora ana delaminasi lapisan.
• Kemurnian ultra-dhuwur kanggo ngilangi rereged utawa kontaminan sing ora perlu
• Jangkoan lapisan konformal nganti toleransi dimensi sing rapet
Spesifikasi teknis:
Persiapan lapisan tantalum karbida sing padhet nganggo CVD:
Lapisan TAC kanthi kristalinitas dhuwur lan keseragaman sing apik banget:
Parameter Teknis CVD TAC COATING_Semicera:
| Sifat fisik lapisan TaC | |
| Kapadhetan | 14,3 (g/cm³) |
| Konsentrasi Massal | 8x1015/cm |
| Emisivitas spesifik | 0.3 |
| Koefisien ekspansi termal | 6.3 10-6/K |
| Kekerasan (HK) | HK taun 2000 |
| Resistivitas Massal | 4,5 ohm-cm |
| Resistensi | 1x10-5Ohm*cm |
| Stabilitas termal | <2500℃ |
| Mobilitas | 237 cm2/Vs |
| Owah-owahan ukuran grafit | -10~-20um |
| Kekandelan lapisan | Nilai khas ≥20um (35um+10um) |
Ing ndhuwur iku nilai-nilai khas.













