Substrat Wafer Semicera 3C-SiC dirancang kanggo nyedhiyakake platform sing kuat kanggo piranti elektronik daya lan piranti frekuensi dhuwur generasi sabanjure. Kanthi sifat termal lan karakteristik listrik sing unggul, substrat kasebut dirancang kanggo nyukupi kabutuhan teknologi modern.
Struktur 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) saka Semicera Wafer Substrates nawakake kaluwihan unik, kalebu konduktivitas termal sing luwih dhuwur lan koefisien ekspansi termal sing luwih murah dibandhingake karo bahan semikonduktor liyane. Iki ndadekake dheweke dadi pilihan sing apik kanggo piranti sing digunakake ing suhu sing ekstrem lan kahanan daya dhuwur.
Kanthi voltase rusak listrik sing dhuwur lan stabilitas kimia sing unggul, Substrat Wafer Semicera 3C-SiC njamin kinerja lan linuwih sing tahan lama. Properti kasebut kritis kanggo aplikasi kayata radar frekuensi dhuwur, lampu solid-state, lan inverter daya, sing efisiensi lan daya tahan sing paling penting.
Komitmen Semicera kanggo kualitas dibayangke ing proses manufaktur tliti saka Substrat Wafer 3C-SiC, njamin keseragaman lan konsistensi ing saben batch. Presisi iki nyumbang kanggo kinerja sakabèhé lan umur dawa saka piranti elektronik sing dibangun ing.
Kanthi milih Substrat Wafer Semicera 3C-SiC, produsen entuk akses menyang materi sing canggih sing ngidini pangembangan komponen elektronik sing luwih cilik, luwih cepet, lan efisien. Semicera terus ndhukung inovasi teknologi kanthi nyedhiyakake solusi sing bisa dipercaya sing nyukupi panjaluk industri semikonduktor sing terus berkembang.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
