-
Kinerja Apik Kapal Wafer Silicon Carbide ing Pertumbuhan Kristal
Proses wutah kristal dumunung ing jantung fabrikasi semikonduktor, ing ngendi produksi wafer kualitas dhuwur iku wigati.Komponen integral ing proses kasebut yaiku kapal wafer silikon karbida (SiC).Kapal wafer SiC wis entuk pangenalan sing signifikan ing industri amarga kajaba ...Waca liyane -
Konduktivitas Termal sing Luar Biasa saka Pemanas Grafit ing Lapangan Termal Tungku Kristal Tunggal
Ing dunyo teknologi tungku kristal tunggal, efisiensi lan presisi manajemen termal sing paling penting.Entuk keseragaman lan stabilitas suhu sing optimal penting kanggo ngembangake kristal tunggal sing berkualitas tinggi.Kanggo ngatasi tantangan kasebut, pemanas grafit wis muncul minangka ...Waca liyane -
Stabilitas Termal Komponen Kuarsa ing Industri Semikonduktor
Pambuka Ing industri semikonduktor, stabilitas termal penting banget kanggo njamin operasi komponen kritis sing dipercaya lan efisien.Kuarsa, wangun kristal silikon dioksida (SiO2), wis entuk pangenalan sing signifikan kanggo sifat stabilitas termal sing luar biasa.T...Waca liyane -
Ketahanan Korosi Lapisan Karbida Tantalum ing Industri Semikonduktor
Judhul: Ketahanan Korosi Lapisan Karbida Tantalum ing Industri Semikonduktor Pambuka Ing industri semikonduktor, korosi ndadekake tantangan sing signifikan kanggo umur dawa lan kinerja komponen kritis.Lapisan Tantalum carbide (TaC) wis muncul minangka solusi sing janjeni ...Waca liyane -
Carane ngukur resistance sheet saka film tipis?
Film tipis sing digunakake ing manufaktur semikonduktor kabeh duwe resistensi, lan resistensi film duwe pengaruh langsung marang kinerja piranti kasebut.Kita biasane ora ngukur resistance mutlak film, nanging nggunakake resistance sheet kanggo ciri.Apa resistensi lembaran lan resistensi volume ...Waca liyane -
Apa aplikasi lapisan karbida silikon CVD kanthi efektif nambah umur komponen?
Lapisan karbida silikon CVD minangka teknologi sing mbentuk film tipis ing permukaan komponen, sing bisa nggawe komponen duwe resistensi nyandhang sing luwih apik, tahan karat, tahan suhu dhuwur lan sifat liyane.Properti sing apik banget iki nggawe lapisan karbida silikon CVD kanthi akeh ...Waca liyane -
Apa lapisan karbida silikon CVD duwe sifat damping sing apik banget?
Ya, lapisan karbida silikon CVD duweni sifat damping sing apik banget.Damping nuduhake kemampuan obyek kanggo ngilangi energi lan nyuda amplitudo getaran nalika kena getaran utawa impact.Ing pirang-pirang aplikasi, sifat damping banget ngimpor ...Waca liyane -
Semikonduktor silikon karbida: masa depan sing ramah lingkungan lan efisien
Ing bidang bahan semikonduktor, silikon karbida (SiC) wis muncul minangka calon sing apik kanggo generasi sabanjure semikonduktor sing efisien lan ramah lingkungan.Kanthi sifat lan potensial sing unik, semikonduktor karbida silikon mbukak dalan kanggo ...Waca liyane -
Prospek aplikasi kapal wafer silikon karbida ing lapangan semikonduktor
Ing lapangan semikonduktor, pilihan materi penting kanggo kinerja piranti lan pangembangan proses.Ing taun-taun pungkasan, wafer silikon karbida, minangka bahan sing berkembang, wis narik kawigaten lan wis nuduhake potensial gedhe kanggo aplikasi ing lapangan semikonduktor.Silikon...Waca liyane -
Prospek aplikasi keramik silikon karbida ing bidang energi surya fotovoltaik
Ing taun-taun pungkasan, amarga permintaan global kanggo energi sing bisa dianyari saya tambah akeh, energi surya fotovoltaik dadi penting minangka pilihan energi sing resik lan lestari.Ing pangembangan teknologi fotovoltaik, ilmu material nduweni peran penting.Antarane, keramik karbida silikon, ...Waca liyane -
Cara persiapan bagean grafit sing dilapisi TaC umum
PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition): Ing 900-2300 ℃, nggunakake TaCl5 lan CnHm minangka sumber tantalum lan karbon, H₂ minangka reduktor atmosfer, Ar₂as pembawa gas, reaksi deposisi film.Lapisan sing disiapake kompak, seragam lan kemurnian dhuwur.Nanging, ana sawetara masalah ...Waca liyane -
Aplikasi bagean grafit sing dilapisi TaC
PART/1 Crucible, wadhah wiji lan cincin panuntun ing tungku kristal tunggal SiC lan AIN ditanam kanthi metode PVT Kaya sing ditampilake ing Gambar 2 [1], nalika metode transportasi uap fisik (PVT) digunakake kanggo nyiapake SiC, kristal wiji ana ing wilayah suhu sing relatif kurang, SiC r ...Waca liyane