Semicera's 4 Inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC Double-side Polished Wafer Substrates digawe kanggo nyukupi panjaluk industri semikonduktor sing tepat. Substrat iki dirancang kanthi flatness lan kemurnian sing luar biasa, nawakake platform optimal kanggo piranti elektronik sing canggih.
Wafer HPSI SiC iki dibedakake kanthi konduktivitas termal sing unggul lan sifat insulasi listrik, dadi pilihan sing apik kanggo aplikasi frekuensi dhuwur lan daya dhuwur. Proses polishing sisih pindho njamin kekasaran permukaan minimal, sing penting kanggo nambah kinerja piranti lan umur dawa.
Kemurnian dhuwur saka wafer SiC Semicera nyilikake cacat lan impurities, nyebabake tingkat ngasilake lan linuwih piranti. Substrat iki cocog kanggo macem-macem aplikasi, kalebu piranti gelombang mikro, elektronik daya, lan teknologi LED, sing presisi lan daya tahan penting.
Kanthi fokus ing inovasi lan kualitas, Semicera nggunakake teknik manufaktur canggih kanggo ngasilake wafer sing nyukupi syarat elektronik modern. Polishing pindho sisi ora mung nambah kekuatan mekanik nanging uga nggampangake integrasi sing luwih apik karo bahan semikonduktor liyane.
Kanthi milih Semicera's High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Double-side Polished Wafer Substrat, produsen bisa nggunakake keuntungan saka manajemen termal lan insulasi listrik sing ditingkatake, nggawe dalan kanggo pangembangan piranti elektronik sing luwih efisien lan kuat. Semicera terus mimpin industri kanthi komitmen kanggo kualitas lan kemajuan teknologi.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
