Substrat SiC tipe N Semicera 4 Inch digawe kanggo nyukupi standar industri semikonduktor sing tepat. Substrat iki nyedhiyakake dhasar kinerja dhuwur kanggo macem-macem aplikasi elektronik, menehi konduktivitas lan sifat termal sing luar biasa.
Doping jinis N saka substrat SiC iki nambah konduktivitas listrik, saengga cocog kanggo aplikasi daya dhuwur lan frekuensi dhuwur. Sifat iki ngidini kanggo operasi efisien piranti kayata dioda, transistor, lan amplifier, ngendi minimalake mundhut energi iku wigati.
Semicera nggunakake proses manufaktur canggih kanggo mesthekake yen saben substrat nuduhake kualitas permukaan lan keseragaman sing apik. Presisi iki penting kanggo aplikasi ing elektronika daya, piranti gelombang mikro, lan teknologi liyane sing nuntut kinerja sing dipercaya ing kahanan sing ekstrim.
Nggabungake substrat SiC tipe-N Semicera menyang jalur produksi tegese entuk manfaat saka bahan sing nyedhiyakake pambuangan panas lan stabilitas listrik sing unggul. Substrat iki cocog kanggo nggawe komponen sing mbutuhake daya tahan lan efisiensi, kayata sistem konversi daya lan amplifier RF.
Kanthi milih Substrat SiC tipe N Semicera 4 Inch, sampeyan nandur modal ing produk sing nggabungake ilmu material sing inovatif karo pakaryan sing tliti. Semicera terus mimpin industri kanthi nyediakake solusi sing ndhukung pangembangan teknologi semikonduktor mutakhir, njamin kinerja lan linuwih.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
