Ingot SiC Semi-Insulating High Purity 4"6" Semicera dirancang kanggo nyukupi standar industri semikonduktor sing tepat. Ingot iki diprodhuksi kanthi fokus ing kemurnian lan konsistensi, dadi pilihan sing cocog kanggo aplikasi daya dhuwur lan frekuensi dhuwur ing ngendi kinerja paling penting.
Sifat unik saka ingot SiC iki, kalebu konduktivitas termal sing dhuwur lan resistivitas listrik sing apik banget, mula cocog kanggo digunakake ing piranti elektronik daya lan gelombang mikro. Sifat semi-insulasi kasebut ngidini boros panas sing efektif lan gangguan listrik minimal, sing nyebabake komponen sing luwih efisien lan dipercaya.
Semicera nggunakake proses manufaktur paling canggih kanggo ngasilake ingot kanthi kualitas kristal lan keseragaman sing luar biasa. Presisi iki njamin saben ingot bisa digunakake kanthi dipercaya ing aplikasi sing sensitif, kayata amplifier frekuensi dhuwur, dioda laser, lan piranti optoelektronik liyane.
Kasedhiya ing ukuran 4-inch lan 6-inch, ingot SiC Semicera nyedhiyakake keluwesan sing dibutuhake kanggo macem-macem skala produksi lan syarat teknologi. Apa kanggo riset lan pangembangan utawa produksi massal, ingot iki menehi kinerja lan daya tahan sing dikarepake sistem elektronik modern.
Kanthi milih Ingot SiC Semi-Insulating Kemurnian Tinggi Semicera, sampeyan nandur modal ing produk sing nggabungake ilmu material canggih kanthi keahlian manufaktur sing ora ana tandhingane. Semicera darmabakti kanggo ndhukung inovasi lan pertumbuhan industri semikonduktor, nawakake bahan sing bisa ngembangake piranti elektronik sing canggih.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
