1. BabaganSilicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer
Wafer epitaxial Silicon Carbide (SiC) dibentuk kanthi nyelehake lapisan kristal siji ing wafer nggunakake wafer kristal tunggal silikon karbida minangka substrat, biasane kanthi deposisi uap kimia (CVD). Ing antarane, epitaxial silikon karbida disiapake kanthi ngembangake lapisan epitaxial silikon karbida ing substrat silikon karbida konduktif, lan luwih digawe dadi piranti kanthi kinerja dhuwur.
2.Silicon Carbide Epitaxial WaferSpesifikasi
Kita bisa nyedhiyakake wafer epitaxial 4, 6, 8 inci N-jinis 4H-SiC. Wafer epitaxial nduweni bandwidth gedhe, kecepatan drift elektron jenuh sing dhuwur, gas elektron rong dimensi kanthi kecepatan tinggi, lan kekuatan lapangan rusak sing dhuwur. Properti kasebut nggawe piranti kasebut tahan suhu dhuwur, resistensi tegangan dhuwur, kacepetan ganti cepet, resistensi kurang, ukuran cilik lan bobot entheng.
3. Aplikasi Epitaxial SiC
SiC epitaxial waferutamané digunakake ing Schottky diode (SBD), metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) junction field effect transistor (JFET), bipolar junction transistor (BJT), thyristor (SCR), insulated gate bipolar transistor (IGBT), kang digunakake. ing voltase kurang, medium-voltase lan dhuwur-voltase kothak. Saiki,SiC epitaxial waferkanggo aplikasi voltase dhuwur ana ing tahap riset lan pangembangan ing saindenging jagad.
