Wafer SiC tipe N Semicera 6 Inch ngadeg ing ngarep teknologi semikonduktor. Digawe kanggo kinerja sing optimal, wafer iki unggul ing aplikasi daya dhuwur, frekuensi dhuwur, lan suhu dhuwur, penting kanggo piranti elektronik canggih.
Wafer SiC tipe N 6 Inch kita nduweni mobilitas elektron sing dhuwur lan resistensi sing kurang, sing dadi parameter kritis kanggo piranti daya kayata MOSFET, dioda, lan komponen liyane. Properti kasebut njamin konversi energi sing efisien lan nyuda produksi panas, nambah kinerja lan umur sistem elektronik.
Proses kontrol kualitas sing ketat Semicera mesthekake yen saben wafer SiC njaga permukaan rata lan cacat minimal. Perhatian sing tliti babagan rincian iki njamin manawa wafer kita nyukupi syarat industri sing ketat kayata otomotif, aeroangkasa, lan telekomunikasi.
Saliyane sifat listrik sing unggul, wafer SiC tipe N nawakake stabilitas termal sing kuat lan tahan kanggo suhu dhuwur, saéngga cocog kanggo lingkungan sing bisa gagal bahan konvensional. Kapabilitas iki penting banget ing aplikasi sing nglibatake operasi frekuensi dhuwur lan daya dhuwur.
Kanthi milih Semicera's 6 Inch N-type SiC Wafer, sampeyan nandur modal ing produk sing nggambarake puncak inovasi semikonduktor. Kita setya nyedhiyakake pamblokiran bangunan kanggo piranti canggih, mesthekake yen mitra kita ing macem-macem industri duwe akses menyang bahan sing paling apik kanggo kemajuan teknologi.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
