Wafer SiC HPSI Semi-Insulating Semicera 6 Inch dirancang kanggo nyukupi panjaluk teknologi semikonduktor modern sing ketat. Kanthi kemurnian lan konsistensi sing luar biasa, wafer iki dadi dhasar sing dipercaya kanggo ngembangake komponen elektronik kanthi efisiensi dhuwur.
Wafer HPSI SiC iki dikenal amarga konduktivitas termal lan insulasi listrik sing luar biasa, sing penting kanggo ngoptimalake kinerja piranti daya lan sirkuit frekuensi dhuwur. Sifat semi-insulasi mbantu nyuda gangguan listrik lan ngoptimalake efisiensi piranti.
Proses manufaktur berkualitas tinggi sing digunakake dening Semicera mesthekake yen saben wafer nduweni ketebalan seragam lan cacat permukaan minimal. Presisi iki penting kanggo aplikasi canggih kayata piranti frekuensi radio, inverter daya, lan sistem LED, sing kinerja lan daya tahan minangka faktor kunci.
Kanthi nggunakake teknik produksi paling canggih, Semicera nyedhiyakake wafer sing ora mung cocog nanging ngluwihi standar industri. Ukuran 6-inci nawakake keluwesan kanggo nggedhekake produksi, nyedhiyakake aplikasi riset lan komersial ing sektor semikonduktor.
Milih Wafer SiC HPSI Semi-Insulating Semicera 6 Inch tegese nandur modal ing produk sing menehi kualitas lan kinerja sing konsisten. Wafer iki minangka bagean saka komitmen Semicera kanggo ningkatake kemampuan teknologi semikonduktor liwat bahan inovatif lan kerajinan sing tliti.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
