Semicera's 8 Inch N-type SiC Wafers ana ing ngarep inovasi semikonduktor, nyedhiyakake basis sing kuat kanggo pangembangan piranti elektronik kanthi kinerja dhuwur. Wafer iki dirancang kanggo nyukupi kabutuhan aplikasi elektronik modern, saka elektronika daya nganti sirkuit frekuensi dhuwur.
Doping tipe-N ing wafer SiC iki nambah konduktivitas listrik, dadi cocog kanggo macem-macem aplikasi, kalebu dioda daya, transistor, lan amplifier. Konduktivitas unggul njamin mundhut energi minimal lan operasi efisien, kang kritis kanggo piranti operasi ing frekuensi dhuwur lan tingkat daya.
Semicera nggunakake teknik manufaktur canggih kanggo ngasilake wafer SiC kanthi seragam permukaan sing luar biasa lan cacat minimal. Tingkat presisi iki penting kanggo aplikasi sing mbutuhake kinerja lan daya tahan sing konsisten, kayata ing industri aerospace, otomotif, lan telekomunikasi.
Nggabungake Wafer SiC tipe-N Semicera 8 Inch menyang jalur produksi sampeyan nyedhiyakake dhasar kanggo nggawe komponen sing bisa tahan lingkungan sing atos lan suhu dhuwur. Wafer iki sampurna kanggo aplikasi ing konversi daya, teknologi RF, lan lapangan nuntut liyane.
Milih Wafer SiC tipe-N Semicera 8 Inch tegese nandur modal ing produk sing nggabungake ilmu material berkualitas kanthi teknik sing tepat. Semicera duwe komitmen kanggo ningkatake kemampuan teknologi semikonduktor, nawakake solusi sing ningkatake efisiensi lan linuwih piranti elektronik sampeyan.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
