Semiceraintroduce ing850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer, terobosan ing inovasi semikonduktor. Wafer epi canggih iki nggabungake efisiensi Gallium Nitride (GaN) kanthi efektifitas biaya Silicon (Si), nggawe solusi sing kuat kanggo aplikasi voltase dhuwur.
Fitur utama:
•Penanganan Tegangan Tinggi: Direkayasa kanggo ndhukung nganti 850V, GaN-on-Si Epi Wafer iki becik kanggo nuntut elektronik daya, mbisakake efisiensi lan kinerja sing luwih dhuwur.
•Kapadhetan Daya Peningkatan: Kanthi mobilitas elektron sing unggul lan konduktivitas termal, teknologi GaN ngidini kanggo desain kompak lan tambah Kapadhetan daya.
•Solusi Biaya-Efektif: Kanthi nggunakake silikon minangka landasan, wafer epi iki menehi alternatif biaya-efektif kanggo wafer GaN tradisional, tanpa kompromi kualitas utawa kinerja.
•Wide Aplikasi Range: Sampurna kanggo digunakake ing konverter daya, amplifier RF, lan piranti elektronik daya dhuwur liyane, njamin linuwih lan daya tahan.
Jelajahi masa depan teknologi voltase dhuwur karo Semicera850V High Power GaN-on-Si Epi Wafer. Dirancang kanggo aplikasi canggih, produk iki njamin piranti elektronik sampeyan bisa digunakake kanthi efisiensi lan linuwih. Pilih Semicera kanggo kabutuhan semikonduktor generasi sabanjure.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
