Keropos tantalum karbida dilapisitong minyak iku tantalum carbide minangka bahan lapisan utama, tantalum carbide wis resistance karat banget, nyandhang resistance lan stabilitas suhu dhuwur. Bisa kanthi efektif nglindhungi bahan dasar saka erosi kimia lan atmosfer suhu dhuwur. Bahan dasar biasane nduweni karakteristik tahan suhu dhuwur lan tahan karat. Bisa nyedhiyani kekuatan mechanical apik lan stabilitas kimia, lan ing wektu sing padha dadi basis ndhukung sakalapisan tantalum karbida.
Semicera nyedhiyakake lapisan tantalum carbide (TaC) khusus kanggo macem-macem komponen lan operator.Proses lapisan semicera sing unggul ngidini lapisan tantalum karbida (TaC) entuk kemurnian dhuwur, stabilitas suhu dhuwur lan toleransi kimia sing dhuwur, ningkatake kualitas produk kristal SIC / GAN lan lapisan EPI (Susceptor TaC dilapisi grafit), lan ndawakake umur komponen reaktor utama. Panggunaan lapisan tantalum carbide TaC kanggo ngatasi masalah pinggiran lan ningkatake kualitas pertumbuhan kristal, lan Semicera wis terobosan ngrampungake teknologi lapisan tantalum karbida (CVD), tekan tingkat lanjutan internasional.
Sawise taun pembangunan, Semicera wis nelukake teknologi sakaCVD TaCkaro efforts bebarengan saka departemen R & D. Cacat gampang kedadeyan ing proses pertumbuhan wafer SiC, nanging sawise nggunakakeTaC, prabédan punika wujud. Ing ngisor iki perbandingan wafer kanthi lan tanpa TaC, uga bagean Simicera kanggo pertumbuhan kristal tunggal.
karo lan tanpa TaC
Sawise nggunakake TaC (tengen)
Kajaba iku, Semiceraproduk TaC-dilapisinuduhake urip layanan maneh lan resistance suhu dhuwur luwih dibandhingake karolapisan SiC.Pangukuran laboratorium wis nuduhake manawa kitalapisan TaCbisa terus-terusan nindakake ing suhu nganti 2300 derajat Celsius kanggo wektu lengkap. Ing ngisor iki sawetara conto conto kita:
