Suhu dhuwur lan tahan korosi LED Silicon Carbide etching tray (ICP etching tray)

Suhu dhuwur lan tahan karat LED Silicon Carbide etching tray (ICP etching tray) Featured Image

Katrangan singkat:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. minangka pemasok utama sing duwe spesialisasi ing wafer lan bahan semikonduktor canggih.Kita darmabakti kanggo nyedhiyakake produk sing berkualitas, dipercaya, lan inovatif kanggo manufaktur semikonduktor,industri photovoltaiclan lapangan liyane sing gegandhengan.

Lini produk kita kalebu produk grafit sing dilapisi SiC / TaC lan produk keramik, kalebu macem-macem bahan kayata silikon karbida, silikon nitrida, lan aluminium oksida lan sapiturute.

Minangka supplier dipercaya, kita ngerti pentinge consumables ing proses manufaktur, lan kita setya ngirim produk sing ketemu standar kualitas paling dhuwur kanggo nepaki kabutuhan pelanggan.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Deskripsi Produk

Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses lapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing disimpen ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan protèktif SIC.

Fitur utama:

1. Resistance oksidasi suhu dhuwur:

resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.

2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.

3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.

4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.

1111111斯蒂芬森

111111111111111111

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC

Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300