-
Wingi, Papan Inovasi Sains lan Teknologi ngetokake woro-woro yen Huazhuo Precision Technology mungkasi IPO!
Mung ngumumake pangiriman peralatan annealing laser SIC 8-inch pisanan ing China, sing uga teknologi Tsinghua; Yagene dheweke mbatalake materi kasebut dhewe? Mung sawetara tembung: Kaping pisanan, produk kasebut maneka warna! Sepisanan, aku ora ngerti apa sing ditindakake. Saiki, H...Waca liyane -
Lapisan silikon karbida CVD-2
Lapisan karbida silikon CVD 1. Kenapa ana lapisan karbida silikon Lapisan epitaxial minangka film tipis kristal tunggal sing ditanam ing basis wafer liwat proses epitaxial. Wafer substrat lan film tipis epitaxial diarani wafer epitaxial. Antarane wong-wong mau, ...Waca liyane -
Proses persiapan lapisan SIC
Saiki, cara nyiapake lapisan SiC utamane kalebu metode gel-sol, metode embedding, metode lapisan sikat, metode nyemprot plasma, metode reaksi uap kimia (CVR) lan metode deposisi uap kimia (CVD). Metode semat Metode iki minangka jinis fase padhet suhu dhuwur ...Waca liyane -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Apa CVD SiC Chemical vapor deposition (CVD) yaiku proses deposisi vakum sing digunakake kanggo ngasilake bahan padhet kanthi kemurnian dhuwur. Proses iki asring digunakake ing lapangan manufaktur semikonduktor kanggo mbentuk film tipis ing permukaan wafer. Ing proses nyiapake SiC dening CVD, substrate wis exp...Waca liyane -
Analisis struktur dislokasi ing kristal SiC kanthi simulasi ray tracing dibantu dening pencitraan topologi sinar-X
Latar mburi riset Pentinge aplikasi silikon karbida (SiC): Minangka bahan semikonduktor celah pita lebar, karbida silikon wis narik kawigaten amarga sifat listrik sing apik banget (kayata celah pita sing luwih gedhe, kecepatan jenuh elektron sing luwih dhuwur lan konduktivitas termal). Iki prop ...Waca liyane -
Proses persiapan kristal biji pada pertumbuhan kristal tunggal SiC 3
Verifikasi Pertumbuhan Kristal biji silikon karbida (SiC) disiapake miturut proses sing digarisake lan divalidasi liwat pertumbuhan kristal SiC. Platform pertumbuhan sing digunakake yaiku tungku pertumbuhan induksi SiC sing dikembangake kanthi suhu pertumbuhan 2200 ℃, tekanan pertumbuhan 200 Pa, lan ...Waca liyane -
Proses Persiapan Kristal Biji ing Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC (Bagian 2)
2. Proses Eksperimen 2.1 Ngobati Film AdhesiveSampeyan diamati manawa langsung nggawe film karbon utawa ikatan karo kertas grafit ing wafer SiC sing dilapisi adesif nyebabake sawetara masalah: 1. Ing kahanan vakum, film adesif ing wafer SiC berkembang katon kaya skala amarga mlebu...Waca liyane -
Proses Persiapan Kristal Biji ing Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC
Bahan silikon karbida (SiC) nduweni kaluwihan saka celah pita sing amba, konduktivitas termal sing dhuwur, kekuatan lapangan breakdown kritis sing dhuwur, lan kecepatan drift elektron jenuh sing dhuwur, saengga bisa banget njanjeni ing lapangan manufaktur semikonduktor. Kristal tunggal SiC umume diprodhuksi liwat ...Waca liyane -
Apa cara kanggo polishing wafer?
Kabeh pangolahan melu nggawe chip, nasib final saka wafer bakal Cut menyang mati individu lan rangkep ing cilik, kothak terlampir karo mung sawetara pin kapapar. Chip kasebut bakal dievaluasi adhedhasar ambang, resistensi, arus, lan nilai voltase, nanging ora ana sing nganggep ...Waca liyane -
Pambuka Dasar Proses Pertumbuhan Epitaxial SiC
Lapisan epitaxial minangka film kristal tunggal khusus sing ditanam ing wafer kanthi proses ep·itaxial, lan wafer substrat lan film epitaxial diarani wafer epitaxial. Kanthi ngembangake lapisan epitaxial silikon karbida ing substrat silikon karbida konduktif, epitaxial homogen silikon karbida ...Waca liyane -
Titik kunci kontrol kualitas proses kemasan semikonduktor
Poin Kunci kanggo Kontrol Kualitas ing Proses Kemasan SemikonduktorSaiki, teknologi proses kanggo kemasan semikonduktor saya tambah apik lan dioptimalake. Nanging, saka perspektif sakabèhé, proses lan cara kanggo kemasan semikonduktor durung tekan paling sampurna ...Waca liyane -
Tantangan ing Proses Kemasan Semikonduktor
Teknik kemasan semikonduktor saiki saya suwe saya apik, nanging tingkat peralatan lan teknologi otomatis sing diadopsi ing kemasan semikonduktor langsung nemtokake asil sing dikarepake. Proses pengemasan semikonduktor sing ana isih ngalami ...Waca liyane