Wafer Substrat SiC tipe P

Katrangan singkat:

Wafer Substrat SiC tipe P Semicera dirancang kanggo aplikasi elektronik lan optoelektronik sing unggul. Wafer iki nyedhiyakake konduktivitas lan stabilitas termal sing luar biasa, saengga cocog kanggo piranti kanthi kinerja dhuwur. Kanthi Semicera, ngarepake presisi lan linuwih ing wafer substrat SiC jinis P.


Detail Produk

Tag produk

Semicera's P-type SiC Substrate Wafer minangka komponen kunci kanggo ngembangake piranti elektronik lan optoelektronik sing canggih. Wafer iki dirancang khusus kanggo nyedhiyakake kinerja sing luwih apik ing lingkungan kanthi daya dhuwur lan suhu dhuwur, ndhukung panjaluk komponen sing efisien lan tahan lama.

Doping P-jinis ing wafer SiC kita njamin konduktivitas listrik lan mobilitas operator ngisi daya. Iki ndadekake dheweke cocok banget kanggo aplikasi ing elektronika daya, LED, lan sel fotovoltaik, ing ngendi mundhut daya kurang lan efisiensi dhuwur kritis.

Diprodhuksi kanthi standar presisi lan kualitas sing paling dhuwur, wafer SiC tipe-P Semicera nawakake seragam permukaan sing apik lan tingkat cacat minimal. Karakteristik kasebut penting kanggo industri sing konsistensi lan linuwih penting, kayata sektor aeroangkasa, otomotif, lan energi sing bisa dianyari.

Komitmen Semicera kanggo inovasi lan keunggulan katon ing Wafer Substrat SiC tipe-P kita. Kanthi nggabungake wafer kasebut menyang proses produksi, sampeyan mesthekake yen piranti sampeyan entuk manfaat saka sifat termal lan listrik sing luar biasa saka SiC, supaya bisa digunakake kanthi efektif ing kahanan sing tantangan.

Investasi ing Wafer Substrat SiC tipe P Semicera tegese milih produk sing nggabungake ilmu material mutakhir karo teknik sing tliti. Semicera darmabakti kanggo ndhukung teknologi elektronik lan optoelektronik generasi sabanjure, nyedhiyakake komponen penting sing dibutuhake kanggo sukses ing industri semikonduktor.

barang

Produksi

Riset

goblok

Parameter Kristal

Politipe

4H

Kesalahan orientasi lumahing

<11-20 >4±0.15°

Parameter Listrik

Dopan

Nitrogen tipe n

Resistivity

0,015-0,025 ohm · cm

Parameter Mekanik

Dhiameter

150,0 ± 0,2 mm

kekandelan

350±25 μm

Orientasi flat utama

[1-100]±5°

Dawane warata utami

47,5 ± 1,5 mm

Flat sekunder

ora ana

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

gandhewo

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Kapadhetan micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualitas ngarep

Ngarep

Si

Rampung lumahing

Si-face CMP

partikel

≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm)

NA

Goresan

≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter

Kumulatif dawa≤2 * Diameter

NA

Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi

ora ana

NA

Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex

ora ana

Wilayah politipe

ora ana

Area kumulatif≤20%

Area kumulatif≤30%

Tandha laser ngarep

ora ana

Kualitas mburi

Rampung mburi

C-pasuryan CMP

Goresan

≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter

NA

Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi)

ora ana

Kekasaran mburi

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Tandha laser mburi

1 mm (saka pinggir ndhuwur)

Pinggir

Pinggir

Chamfer

Kemasan

Kemasan

Epi-siap karo kemasan vakum

Kemasan kaset multi-wafer

* Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sadurunge:
  • Sabanjure: