Semicera's P-type SiC Substrate Wafer minangka komponen kunci kanggo ngembangake piranti elektronik lan optoelektronik sing canggih. Wafer iki dirancang khusus kanggo nyedhiyakake kinerja sing luwih apik ing lingkungan kanthi daya dhuwur lan suhu dhuwur, ndhukung panjaluk komponen sing efisien lan tahan lama.
Doping P-jinis ing wafer SiC kita njamin konduktivitas listrik lan mobilitas operator ngisi daya. Iki ndadekake dheweke cocok banget kanggo aplikasi ing elektronika daya, LED, lan sel fotovoltaik, ing ngendi mundhut daya kurang lan efisiensi dhuwur kritis.
Diprodhuksi kanthi standar presisi lan kualitas sing paling dhuwur, wafer SiC tipe-P Semicera nawakake seragam permukaan sing apik lan tingkat cacat minimal. Karakteristik kasebut penting kanggo industri sing konsistensi lan linuwih penting, kayata sektor aeroangkasa, otomotif, lan energi sing bisa dianyari.
Komitmen Semicera kanggo inovasi lan keunggulan katon ing Wafer Substrat SiC tipe-P kita. Kanthi nggabungake wafer kasebut menyang proses produksi, sampeyan mesthekake yen piranti sampeyan entuk manfaat saka sifat termal lan listrik sing luar biasa saka SiC, supaya bisa digunakake kanthi efektif ing kahanan sing tantangan.
Investasi ing Wafer Substrat SiC tipe P Semicera tegese milih produk sing nggabungake ilmu material mutakhir karo teknik sing tliti. Semicera darmabakti kanggo ndhukung teknologi elektronik lan optoelektronik generasi sabanjure, nyedhiyakake komponen penting sing dibutuhake kanggo sukses ing industri semikonduktor.
barang | Produksi | Riset | goblok |
Parameter Kristal | |||
Politipe | 4H | ||
Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Listrik | |||
Dopan | Nitrogen tipe n | ||
Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
Parameter Mekanik | |||
Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
kekandelan | 350±25 μm | ||
Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Flat sekunder | ora ana | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualitas ngarep | |||
Ngarep | Si | ||
Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
Tandha laser ngarep | ora ana | ||
Kualitas mburi | |||
Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
Pinggir | |||
Pinggir | Chamfer | ||
Kemasan | |||
Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
* Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. |