CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Ringkesan:CVDsilikon karbida (SiC)minangka bahan sing paling disenengi ing peralatan etsa plasma, aplikasi pangolahan termal (RTP) kanthi cepet, lan proses manufaktur semikonduktor liyane. Sifat mekanik, kimia, lan termal sing luar biasa ndadekake bahan kasebut cocog kanggo aplikasi teknologi canggih sing mbutuhake presisi lan daya tahan sing dhuwur.
Aplikasi CVD Bulk SiC:SiC akeh banget penting ing industri semikonduktor, utamane ing sistem etsa plasma, ing ngendi komponen kaya dering fokus, pancuran gas, dering pinggiran, lan pelat entuk manfaat saka resistensi korosi sing luar biasa lan konduktivitas termal SiC. Panganggone ngluwihi kanggoRTPsistem amarga kemampuan SiC kanggo nahan fluktuasi suhu kanthi cepet tanpa degradasi sing signifikan.
Saliyane peralatan etsa, CVDakeh SiCdisenengi ing tungku difusi lan proses wutah kristal, ing ngendi stabilitas termal dhuwur lan resistance kanggo lingkungan kimia atos dibutuhake. Atribut-atribut kasebut ndadekake SiC dadi bahan pilihan kanggo aplikasi sing dikarepake kanthi suhu dhuwur lan gas korosif, kayata sing ngemot klorin lan fluorin.
Keuntungan saka Komponen SiC Bulk CVD:
•Kapadhetan dhuwur:Kapadhetan 3,2 g/cm³,CVD akeh SiCkomponen banget tahan kanggo nyandhang lan impact mechanical.
•Konduktivitas termal unggul:Nawakake konduktivitas termal 300 W/m·K, SiC massal kanthi efisien ngatur panas, dadi becik kanggo komponen sing ana ing siklus termal sing ekstrim.
•Resistance Kimia sing luar biasa:Reaktivitas SiC sing sithik karo gas etsa, kalebu bahan kimia adhedhasar klorin lan fluorine, njamin umur komponen sing luwih dawa.
•Resistivitas sing bisa diatur: CVD akeh SiCresistivitas bisa disesuaikan ing kisaran 10⁻²–10⁴ Ω-cm, saengga bisa adaptasi karo kabutuhan manufaktur etsa lan semikonduktor tartamtu.
•Koefisien Ekspansi Termal:Kanthi koefisien ekspansi termal 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD bulk SiC nahan kejut termal, njaga stabilitas dimensi sanajan sajrone siklus pemanasan lan pendinginan kanthi cepet.
•Daya tahan ing Plasma:Paparan plasma lan gas reaktif ora bisa dihindari ing proses semikonduktor, nangingCVD akeh SiCnawakake resistance unggul kanggo karat lan degradasi, ngurangi frekuensi panggantos lan biaya pangopènan sakabèhé.
Spesifikasi Teknis:
•diameteripun:Luwih saka 305 mm
•Resistivitas:Bisa diatur ing 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Kapadhetan:3,2 g/cm³
•Konduktivitas termal:300 W/m·K
•Koefisien Ekspansi Termal:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Kustomisasi lan Fleksibilitas:IngSemikonduktor Semicera, kita ngerti manawa saben aplikasi semikonduktor mbutuhake spesifikasi sing beda. Pramila komponen SiC akeh CVD kita bisa dikustomisasi kanthi lengkap, kanthi resistensi sing bisa diatur lan dimensi sing cocog kanggo kabutuhan peralatan sampeyan. Apa sampeyan ngoptimalake sistem etsa plasma utawa nggoleki komponen tahan lama ing RTP utawa proses difusi, SiC akeh CVD kita nyedhiyakake kinerja sing ora ana tandhingane.
