SIC khusus kemurnian dhuwur grafit crucible 6-inch substrate

SIC khusus kemurnian dhuwur grafit crucible 6-inch substrat Featured Image

Katrangan singkat:

WeiTai EnergyTeknologi Co., Ltd.punika supplier anjog spesialisasine ing wafer lan consumables semikonduktor majeng.Kita darmabakti kanggo nyedhiyakake produk sing berkualitas, dipercaya, lan inovatif kanggo manufaktur semikonduktor,industri photovoltaiclan lapangan liyane sing gegandhengan.

Lini produk kita kalebu produk grafit sing dilapisi SiC / TaC lan produk keramik, kalebu macem-macem bahan kayata silikon karbida, silikon nitrida, lan aluminium oksida lan sapiturute.

Minangka supplier dipercaya, kita ngerti pentinge consumables ing proses manufaktur, lan kita setya ngirim produk sing ketemu standar kualitas paling dhuwur kanggo nepaki kabutuhan pelanggan.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Crucible grafit utamane digunakake kanggo nglebur tembaga, kuningan, emas, perak, seng lan timbal, lan logam non-ferrous liyane lan paduane.

Crucible grafit kita diproses kanthi grafit tekan isostatik kemurnian dhuwur, sing nduweni konduktivitas termal sing apik lan tahan suhu dhuwur. Ing proses panggunaan suhu dhuwur, koefisien ekspansi termal cilik, lan nduweni resistensi galur tartamtu kanggo panas akut lan pendinginan akut.Wis resistance karat kuwat kanggo asam lan solusi alkalin lan stabilitas kimia banget. Model tartamtu bisa disesuaikan karo gambar lan conto, lan bahan kasebut yaiku grafit domestik lan grafit impor kanggo nyukupi kabutuhan pelanggan sing beda-beda.

Bahan baku utama grafit crucible yaiku grafit, silikon karbida, silika, lempung refraktori, pitch, lan tar, lsp.
> High Pure Graphite Crucible
> Isostatic Graphite Crucible
>Silicon Carbide Graphite Crucible
> Silicon Carbide Crucible
> Lempung Graphite Crucible
> Quarts Crucible

Fitur:
1. Wektu kerja sing dawa
2. Konduktivitas termal sing dhuwur
3. Bahan gaya anyar
4. Resistance kanggo karat
5. Resistance kanggo oksidasi
6. Dhuwur-kekuwatan
7. Multi-fungsi

Data Teknis Bahan
Indeks	Unit	Nilai standar	Nilai tes
Tahan Suhu	℃	1650 ℃	1800 ℃
Komposisi kimia (%)	C	35~45	45
	SiC	15~25	25
	AL2O3	10~20	25
	SiO2	20~25	5
Porositas sing katon	%	≤30%	≤28%
Kekuwatan Kompresi	Mpa	≥8.5MPa	≥8.5MPa
Kapadhetan Bulk	g/cm3	≥1.75	1.78
Kita silikon karbida crucible isostatic mbentuk, kang bisa digunakake 23 kaping ing tungku, nalika liyane mung bisa nggunakake 12 kaping.