Katrangan
Perusahaan kita nyedhiyakakelapisan SiClayanan proses kanthi cara CVD ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing disimpen ing permukaandilapisibahan, mbentuk lapisan protèktif SIC.
Karakteristik kepala pancuran SiC yaiku:
1. Resistance korosi: Materi SiC nduweni ketahanan korosi sing apik lan bisa tahan erosi saka macem-macem cairan kimia lan solusi, lan cocok kanggo macem-macem pangolahan kimia lan pangolahan perawatan permukaan.
2. stabilitas suhu dhuwur:nozel SiCbisa njaga stabilitas struktural ing lingkungan suhu dhuwur lan cocok kanggo aplikasi sing mbutuhake perawatan suhu dhuwur.
3. Penyemprotan seragam:Nozzle SiCdesain nduweni kinerja kontrol uyuh apik, kang bisa entuk distribusi Cairan seragam lan mesthekake yen Cairan perawatan wis roto-roto dijamin ing lumahing target.
4. resistance nyandhang dhuwur: materi SiC wis atose dhuwur lan resistance nyandhang lan bisa tahan nggunakake long-term lan gesekan.
SiC padusan kepala digunakake digunakake ing pangolahan perawatan Cairan ing Manufaktur semikonduktor, pangolahan kimia, nutupi lumahing, electroplating lan lapangan industri liyane. Bisa nyedhiyakake efek uyuh sing stabil, seragam lan dipercaya kanggo njamin kualitas lan konsistensi pangolahan lan perawatan.
Fitur Utama
1. Resistance oksidasi suhu dhuwur:
resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.
2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.
3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.
4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadhetan | g/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran gandum | μm | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuwatan Felexural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
