Silicon nitride bonded silikon karbida
Si3N4 bonded SiC keramik materi refractory, wis pipis dhuwur murni SIC wêdakakêna nggoleki lan Silicon wêdakakêna, sawise slip casting mesthi, reaksi sintered ing 1400 ~ 1500 ° C. Sajrone kursus sintering, ngisi Nitrogen murni sing dhuwur ing tungku, banjur silikon bakal bereaksi karo Nitrogen lan ngasilake Si3N4, Dadi bahan SiC sing diikat Si3N4 kasusun saka silikon nitrida (23%) lan silikon karbida (75%) minangka bahan baku utama. ,dicampur karo bahan organik, lan shaped dening dicampur, extrusion utawa pouring, banjur digawe sawise pangatusan lan nitrogenization.
Fitur lan kaluwihan:
1.Htoleransi suhu
2. Konduktivitas termal dhuwur lan resistance kejut
3. kekuatan mechanical dhuwur lan resistance abrasion
4.Excellent energi efficiency lan karat resistance
We nyedhiyani kualitas dhuwur lan tliti machined komponen keramik NSiC kang proses dening
1. Slip casting
2. Extruding
3. Uni Axial Pressing
4. Isostatic Pressing
Lembar Data Bahan
| > Komposisi kimia | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Gratis Si | 0% | |
| Kapadhetan akeh (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Porositas katon (%) | 12～15 | |
| Kekuwatan bend ing 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Kekuwatan bend ing 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Kekuwatan bend ing 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Kekuwatan tekan ing 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Konduktivitas termal ing 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Koefisien ekspansi termal ing 1200 ℃ (x 10-6 /C) | 4.70 | |
| resistance kejut termal | Banget | |
| Maks. suhu (℃) | 1600 | |
