Silicon ing Wafer Insulatorsaka Semicera dirancang kanggo nyukupi kebutuhan sing akeh kanggo solusi semikonduktor kanthi kinerja dhuwur. Wafer SOI kita nawakake kinerja listrik sing unggul lan kapasitansi piranti parasit sing suda, saéngga cocog kanggo aplikasi canggih kayata piranti MEMS, sensor, lan sirkuit terpadu. Keahlian Semicera ing produksi wafer mesthekake yen sabenwafer SOInyedhiyakake asil sing dipercaya lan berkualitas kanggo kabutuhan teknologi generasi sabanjure.
kitaSilicon ing Wafer Insulatornawakake imbangan optimal antarane biaya-efektifitas lan kinerja. Kanthi biaya wafer soi dadi saya saingan, wafer iki akeh digunakake ing macem-macem industri, kalebu mikroelektronik lan optoelektronik. Proses produksi kanthi tliti dhuwur Semicera njamin ikatan lan keseragaman wafer sing unggul, saengga cocok kanggo macem-macem aplikasi, saka wafer SOI rongga nganti wafer silikon standar.
Fitur utama:
•Wafer SOI berkualitas tinggi sing dioptimalake kanggo kinerja ing MEMS lan aplikasi liyane.
•Biaya wafer soi sing kompetitif kanggo bisnis sing golek solusi canggih tanpa ngrusak kualitas.
•Cocog kanggo teknologi canggih, nawakake isolasi listrik lan efisiensi silikon ing sistem insulator.
kitaSilicon ing Wafer Insulatordirancang kanggo nyedhiyakake solusi kinerja dhuwur, ndhukung gelombang inovasi sabanjure ing teknologi semikonduktor. Apa sampeyan nggarap ronggawafer SOI, piranti MEMS, utawa silikon ing komponen insulator, Semicera ngirim wafer sing ketemu standar paling dhuwur ing industri.
barang | Produksi | Riset | goblok |
Parameter Kristal | |||
Politipe | 4H | ||
Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Listrik | |||
Dopan | Nitrogen tipe n | ||
Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
Parameter Mekanik | |||
Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
kekandelan | 350±25 μm | ||
Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Flat sekunder | ora ana | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualitas ngarep | |||
Ngarep | Si | ||
Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
Tandha laser ngarep | ora ana | ||
Kualitas mburi | |||
Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
Pinggir | |||
Pinggir | Chamfer | ||
Kemasan | |||
Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
* Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. |