Silicon ing Wafer Insulator

Katrangan singkat:

Wafer Silicon-on-Insulator Semicera nyedhiyakake solusi kinerja dhuwur kanggo aplikasi semikonduktor canggih. Cocog kanggo MEMS, sensor, lan mikroelektronik, wafer iki nyedhiyakake isolasi listrik sing apik lan kapasitansi parasit sing sithik. Semicera njamin manufaktur presisi, menehi kualitas sing konsisten kanggo macem-macem teknologi inovatif. We look nerusake kanggo dadi partner long-term ing China.


Detail Produk

Tag produk

Silicon ing Wafer Insulatorsaka Semicera dirancang kanggo nyukupi kebutuhan sing akeh kanggo solusi semikonduktor kanthi kinerja dhuwur. Wafer SOI kita nawakake kinerja listrik sing unggul lan kapasitansi piranti parasit sing suda, saéngga cocog kanggo aplikasi canggih kayata piranti MEMS, sensor, lan sirkuit terpadu. Keahlian Semicera ing produksi wafer mesthekake yen sabenwafer SOInyedhiyakake asil sing dipercaya lan berkualitas kanggo kabutuhan teknologi generasi sabanjure.

kitaSilicon ing Wafer Insulatornawakake imbangan optimal antarane biaya-efektifitas lan kinerja. Kanthi biaya wafer soi dadi saya saingan, wafer iki akeh digunakake ing macem-macem industri, kalebu mikroelektronik lan optoelektronik. Proses produksi kanthi tliti dhuwur Semicera njamin ikatan lan keseragaman wafer sing unggul, saengga cocok kanggo macem-macem aplikasi, saka wafer SOI rongga nganti wafer silikon standar.

Fitur utama:

Wafer SOI berkualitas tinggi sing dioptimalake kanggo kinerja ing MEMS lan aplikasi liyane.

Biaya wafer soi sing kompetitif kanggo bisnis sing golek solusi canggih tanpa ngrusak kualitas.

Cocog kanggo teknologi canggih, nawakake isolasi listrik lan efisiensi silikon ing sistem insulator.

kitaSilicon ing Wafer Insulatordirancang kanggo nyedhiyakake solusi kinerja dhuwur, ndhukung gelombang inovasi sabanjure ing teknologi semikonduktor. Apa sampeyan nggarap ronggawafer SOI, piranti MEMS, utawa silikon ing komponen insulator, Semicera ngirim wafer sing ketemu standar paling dhuwur ing industri.

barang

Produksi

Riset

goblok

Parameter Kristal

Politipe

4H

Kesalahan orientasi lumahing

<11-20 >4±0.15°

Parameter Listrik

Dopan

Nitrogen tipe n

Resistivity

0,015-0,025 ohm · cm

Parameter Mekanik

Dhiameter

150,0 ± 0,2 mm

kekandelan

350±25 μm

Orientasi flat utama

[1-100]±5°

Dawane warata utami

47,5 ± 1,5 mm

Flat sekunder

ora ana

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

gandhewo

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Kapadhetan micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualitas ngarep

Ngarep

Si

Rampung lumahing

Si-face CMP

partikel

≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm)

NA

Goresan

≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter

Kumulatif dawa≤2 * Diameter

NA

Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi

ora ana

NA

Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex

ora ana

Wilayah politipe

ora ana

Area kumulatif≤20%

Area kumulatif≤30%

Tandha laser ngarep

ora ana

Kualitas mburi

Rampung mburi

C-pasuryan CMP

Goresan

≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter

NA

Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi)

ora ana

Kekasaran mburi

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Tandha laser mburi

1 mm (saka pinggir ndhuwur)

Pinggir

Pinggir

Chamfer

Kemasan

Kemasan

Epi-siap karo kemasan vakum

Kemasan kaset multi-wafer

* Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sadurunge:
  • Sabanjure: