Substrat Semicera Silicon digawe kanggo nyukupi panjaluk industri semikonduktor sing ketat, menehi kualitas lan presisi sing ora ana tandhingane. Substrat iki nyedhiyakake dhasar sing bisa dipercaya kanggo macem-macem aplikasi, saka sirkuit terpadu nganti sel fotovoltaik, njamin kinerja lan umur dawa sing optimal.
Kemurnian Semicera Silicon Substrat njamin cacat minimal lan karakteristik listrik sing unggul, sing penting kanggo produksi komponen elektronik kanthi efisiensi dhuwur. Tingkat kemurnian iki mbantu nyuda mundhut energi lan ningkatake efisiensi sakabèhé piranti semikonduktor.
Semicera nggunakake teknik manufaktur paling canggih kanggo ngasilake substrat silikon kanthi seragam lan rata sing luar biasa. Presisi iki penting kanggo entuk asil sing konsisten ing fabrikasi semikonduktor, sanajan variasi sing sithik bisa nyebabake kinerja lan asil piranti.
Kasedhiya ing macem-macem ukuran lan specifications, Semicera Silicon Substrat ngebaki sawetara saka sudhut kabutuhan industri. Apa sampeyan ngembangake mikroprosesor utawa panel surya sing canggih, substrat kasebut nyedhiyakake keluwesan lan linuwih sing dibutuhake kanggo aplikasi khusus sampeyan.
Semicera darmabakti kanggo ndhukung inovasi lan efisiensi ing industri semikonduktor. Kanthi nyediakake substrat silikon sing bermutu, kita ngidini produsen nyurung wates teknologi, ngirim produk sing cocog karo panjaluk pasar sing terus berkembang. Percaya Semicera kanggo solusi elektronik lan fotovoltaik generasi sabanjure.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
