Semicera Silicon Wafers digawe kanthi tliti kanggo dadi dhasar kanggo macem-macem piranti semikonduktor, saka mikroprosesor nganti sel fotovoltaik. Wafer iki direkayasa kanthi presisi lan kemurnian sing dhuwur, njamin kinerja sing optimal ing macem-macem aplikasi elektronik.
Diprodhuksi kanthi teknik canggih, Semicera Silicon Wafers nampilake flatness lan keseragaman sing luar biasa, sing penting kanggo entuk asil sing dhuwur ing fabrikasi semikonduktor. Tingkat presisi iki mbantu nyuda cacat lan nambah efisiensi komponen elektronik sakabèhé.
Kualitas unggul Semicera Silicon Wafers katon ing karakteristik listrik, sing nyumbang kanggo kinerja piranti semikonduktor sing luwih apik. Kanthi tingkat najis sing sithik lan kualitas kristal sing dhuwur, wafer iki nyedhiyakake platform sing cocog kanggo ngembangake elektronik kinerja dhuwur.
Kasedhiya ing macem-macem ukuran lan spesifikasi, Semicera Silicon Wafers bisa dicocogake kanggo nyukupi kabutuhan spesifik industri sing beda-beda, kalebu komputasi, telekomunikasi, lan energi sing bisa dianyari. Apa kanggo manufaktur skala gedhe utawa riset khusus, wafer iki ngasilake asil sing bisa dipercaya.
Semicera setya ndhukung pertumbuhan lan inovasi industri semikonduktor kanthi nyedhiyakake wafer silikon berkualitas tinggi sing cocog karo standar industri sing paling dhuwur. Kanthi fokus ing presisi lan linuwih, Semicera mbisakake manufaktur kanggo nyurung wates teknologi, njamin produke tetep ing ngarep pasar.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
