Semicera's SiN Ceramics Plain Substrates nyedhiyakake solusi kinerja dhuwur kanggo macem-macem aplikasi elektronik lan industri. Dikenal amarga konduktivitas termal lan kekuatan mekanik sing apik, substrat kasebut njamin operasi sing dipercaya ing lingkungan sing nuntut.
Keramik SiN (Silicon Nitride) kita dirancang kanggo nangani suhu sing ekstrem lan kahanan stres sing dhuwur, saengga cocog kanggo piranti elektronik lan semikonduktor canggih. Daya tahan lan resistensi kanggo kejut termal nggawe dheweke cocog kanggo digunakake ing aplikasi sing linuwih lan kinerja kritis.
Proses manufaktur presisi Semicera mesthekake yen saben substrat kosong memenuhi standar kualitas sing ketat. Iki nyebabake substrat kanthi kekandelan lan kualitas permukaan sing konsisten, sing penting kanggo entuk kinerja optimal ing rakitan lan sistem elektronik.
Saliyane kaluwihan termal lan mekanik, SiN Ceramics Plain Substrat nawakake sifat insulasi listrik sing apik. Iki njamin gangguan listrik minimal lan nyumbang kanggo stabilitas lan efisiensi sakabèhé komponen elektronik, nambah umur operasional.
Kanthi milih Semicera's SiN Ceramics Plain Substrat, sampeyan milih produk sing nggabungake ilmu material canggih karo manufaktur paling dhuwur. Komitmen kanggo kualitas lan inovasi njamin sampeyan nampa substrat sing cocog karo standar industri sing paling dhuwur lan ndhukung sukses proyek teknologi canggih sampeyan.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
