Wafer SOI Semicera (Silicon On Insulator) dirancang kanggo menehi isolasi listrik lan kinerja termal sing unggul. Struktur wafer inovatif iki, nampilaken lapisan silikon ing lapisan insulasi, njamin kinerja piranti ditingkatake lan konsumsi daya suda, dadi becik kanggo macem-macem aplikasi teknologi dhuwur.
Wafer SOI kita nawakake keuntungan luar biasa kanggo sirkuit terpadu kanthi nyuda kapasitansi parasit lan ningkatake kacepetan lan efisiensi piranti. Iki penting kanggo elektronik modern, ing ngendi kinerja dhuwur lan efisiensi energi penting kanggo aplikasi konsumen lan industri.
Semicera nggunakake teknik manufaktur canggih kanggo ngasilake wafer SOI kanthi kualitas lan linuwih sing konsisten. Wafer iki nyedhiyakake insulasi termal sing apik banget, saengga bisa digunakake ing lingkungan sing dadi masalah panyebaran panas, kayata ing piranti elektronik kanthi kapadhetan dhuwur lan sistem manajemen daya.
Panggunaan wafer SOI ing fabrikasi semikonduktor ngidini pangembangan chip sing luwih cilik, luwih cepet, lan luwih dipercaya. Komitmen Semicera kanggo teknik presisi mesthekake yen wafer SOI kita cocog karo standar dhuwur sing dibutuhake kanggo teknologi canggih ing bidang kayata telekomunikasi, otomotif, lan elektronik konsumen.
Milih Wafer SOI Semicera tegese nandur modal ing produk sing ndhukung kemajuan teknologi elektronik lan mikroelektronik. Wafer kita dirancang kanggo nyedhiyakake kinerja lan daya tahan sing luwih apik, nyumbang kanggo sukses proyek-proyek teknologi dhuwur lan mesthekake yen sampeyan tetep ing ngarep inovasi.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
