TaC Coated Deep UV LED MOCVD Graphite Susceptor

Katrangan singkat:

TaC Coated Deep UV LED MOCVD Graphite Susceptor dening Semicera dirancang kanggo kinerja sing unggul ing aplikasi epitaksi MOCVD. Diprodhuksi ing China, nawakake daya tahan sing luwih dhuwur lan tahan suhu sing luwih dhuwur, saengga cocog kanggo kahanan sing nuntut. Teknologi lapisan majeng Semicera njamin operasi sing dipercaya lan efisien, ndhukung produksi LED UV Deep sing berkualitas tinggi.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

TaC dilapisidhasar grafit LED ultraviolet jero nuduhake proses ningkatake kinerja lan stabilitas piranti kanthi nyetoplapisan TaCing basis grafit sajrone nyiapake piranti LED ultraviolet jero. Lapisan iki bisa nambah kinerja boros panas, resistance suhu dhuwur lan resistance oksidasi piranti, mangkono nambah efficiency lan linuwih saka piranti LED. Piranti LED ultraviolet jero biasane digunakake ing sawetara lapangan khusus, kayata disinfeksi, curing cahya, lan liya-liyane, sing nduweni syarat dhuwur kanggo stabilitas lan kinerja piranti kasebut. Aplikasi sakaTaC dilapisi grafitbasa bisa èfèktif nambah kekiatan lan kinerja piranti, nyediakake support penting kanggo pangembangan teknologi LED ultraviolet jero.

Semicera nyedhiyakake lapisan tantalum carbide (TaC) khusus kanggo macem-macem komponen lan operator.Proses lapisan semicera sing unggul ngidini lapisan tantalum karbida (TaC) entuk kemurnian dhuwur, stabilitas suhu dhuwur lan toleransi kimia sing dhuwur, ningkatake kualitas produk kristal SIC / GAN lan lapisan EPI (Susceptor TaC dilapisi grafit), lan ndawakake umur komponen reaktor utama. Panggunaan lapisan tantalum carbide TaC kanggo ngatasi masalah pinggiran lan ningkatake kualitas pertumbuhan kristal, lan Semicera wis terobosan ngrampungake teknologi lapisan tantalum karbida (CVD), tekan tingkat lanjutan internasional.

Sawise taun pembangunan, Semicera wis nelukake teknologi sakaCVD TaCkaro efforts bebarengan saka departemen R & D. Cacat gampang kedadeyan ing proses pertumbuhan wafer SiC, nanging sawise nggunakakeTaC, prabédan punika wujud. Ing ngisor iki perbandingan wafer kanthi lan tanpa TaC, uga bagean Simicera kanggo pertumbuhan kristal tunggal.

Lapisan karbida tantalum efisiensi dhuwur_ nambah efisiensi produksi industri lan nyuda biaya pangopènan

Tac part kanggo wutah kristal tunggal

Lapisan karbida tantalum antiwear_ Nglindhungi peralatan saka nyandhang lan karat

Grafit kanthi ring dilapisi TaC

karo lan tanpa TaC

Sawise nggunakake TaC (tengen)

Kajaba iku, Semiceraproduk TaC-dilapisinuduhake urip layanan maneh lan resistance suhu dhuwur luwih dibandhingake karolapisan SiC.Pangukuran laboratorium wis nuduhake manawa kitalapisan TaCbisa terus-terusan nindakake ing suhu nganti 2300 derajat Celsius kanggo wektu lengkap. Ing ngisor iki sawetara conto conto kita: