TaC dilapisi guide rings grafitdeleng Deposition saka lapisan lancip sakatantalum karbidaing lumahing ring guide grafit kanggo nambah resistance nyandhang sawijining, resistance suhu dhuwur lan stabilitas kimia. Lapisan iki biasane dibentuk ing permukaan cincin panuntun grafit kanthi teknik kayata deposisi uap fisik (PVD) utawa deposisi uap kimia (CVD).
Semicera nyedhiyakake lapisan tantalum carbide (TaC) khusus kanggo macem-macem komponen lan operator.Proses lapisan semicera sing unggul ngidini lapisan tantalum karbida (TaC) entuk kemurnian dhuwur, stabilitas suhu dhuwur lan toleransi kimia sing dhuwur, ningkatake kualitas produk kristal SIC / GAN lan lapisan EPI (Susceptor TaC dilapisi grafit), lan ndawakake umur komponen reaktor utama. Panggunaan lapisan tantalum carbide TaC kanggo ngatasi masalah pinggiran lan ningkatake kualitas pertumbuhan kristal, lan Semicera wis terobosan ngrampungake teknologi lapisan tantalum karbida (CVD), tekan tingkat lanjutan internasional.
Sawise taun pembangunan, Semicera wis nelukake teknologi sakaCVD TaCkaro efforts bebarengan saka departemen R & D. Cacat gampang kedadeyan ing proses pertumbuhan wafer SiC, nanging sawise nggunakakeTaC, prabédan punika wujud. Ing ngisor iki perbandingan wafer kanthi lan tanpa TaC, uga bagean Simicera kanggo pertumbuhan kristal tunggal.
Fitur utama cincin pandhuan grafit sing dilapisi TaC kalebu:
1. Resistance suhu dhuwur: lapisan TaC nduweni stabilitas suhu dhuwur banget lan bisa njaga stabilitas ing lingkungan suhu dhuwur.
2. Nyandhang resistance: Ing atose dhuwur saka lapisan lancip tantalum carbide menehi ring guide resistance nyandhang apik lan ngluwihi urip layanan.
3. Stabilitas kimia: lapisan TaC nduweni stabilitas dhuwur marang korosi kimia, dadi cocok kanggo aplikasi ing sawetara media korosif.
4. Ngurangi gesekan: lapisan TaC bisa èfèktif nyuda gesekan antarane ring guide grafit lan komponen liyane lan nambah efficiency segel mechanical.
karo lan tanpa TaC
Sawise nggunakake TaC (tengen)
Kajaba iku, Semiceraproduk TaC-dilapisinuduhake urip layanan maneh lan resistance suhu dhuwur luwih dibandhingake karolapisan SiC.Pangukuran laboratorium wis nuduhake manawa kitalapisan TaCbisa terus-terusan nindakake ing suhu nganti 2300 derajat Celsius kanggo wektu lengkap. Ing ngisor iki sawetara conto conto kita:
