Semicera nyedhiyakake lapisan tantalum carbide (TaC) khusus kanggo macem-macem komponen lan operator.Proses lapisan semicera sing unggul ngidini lapisan tantalum karbida (TaC) entuk kemurnian dhuwur, stabilitas suhu dhuwur lan toleransi kimia sing dhuwur, ningkatake kualitas produk kristal SIC / GAN lan lapisan EPI (Susceptor TaC dilapisi grafit), lan ndawakake umur komponen reaktor utama.Panggunaan lapisan tantalum carbide TaC kanggo ngatasi masalah pinggiran lan ningkatake kualitas pertumbuhan kristal, lan Semicera wis terobosan ngrampungake teknologi lapisan tantalum karbida (CVD), tekan tingkat lanjutan internasional.
Grafit minangka bahan suhu dhuwur sing apik banget, nanging gampang dioksidasi ing suhu dhuwur.Malah ing tungku vakum kanthi gas inert, isih bisa ngalami oksidasi alon.Nggunakake lapisan tantalum karbida (TaC) CVD bisa nglindhungi substrat grafit kanthi efektif, nyedhiyakake resistensi suhu dhuwur sing padha karo grafit.TaC uga minangka bahan inert, tegese ora bakal reaksi karo gas kayata argon utawa hidrogen ing suhu dhuwur.Nakoni, nyelidikiTantalum Carbide CVD Coating Crucible saiki!
Sawise taun pembangunan, Semicera wis nelukake teknologi sakaCVD TaCkaro efforts bebarengan saka departemen R & D.Cacat gampang kedadeyan ing proses pertumbuhan wafer SiC, nanging sawise nggunakakeTaC, prabédan punika wujud.Ing ngisor iki perbandingan wafer kanthi lan tanpa TaC, uga bagean Simicera kanggo pertumbuhan kristal tunggal.
karo lan tanpa TaC
Sawise nggunakake TaC (tengen)
Kajaba iku, Semiceraproduk TaC-dilapisinuduhake urip layanan maneh lan resistance suhu dhuwur luwih dibandhingake karolapisan SiC.Pangukuran laboratorium wis nuduhake manawa kitalapisan TaCbisa terus-terusan nindakake ing suhu nganti 2300 derajat Celsius kanggo wektu lengkap.Ing ngisor iki sawetara conto conto kita:
