Semicerakanthi bangga nawakakeGa2O3Epitaksi, solusi state-of-the-art sing dirancang kanggo nyurung wates elektronika daya lan optoelektronik. Teknologi epitaxial canggih iki nggunakake sifat unik saka Gallium Oxide (Ga2O3) kanggo ngirim kinerja unggul ing aplikasi nuntut.
Fitur utama:
• ngédap Wide Bandgap: Ga2O3Epitaksifitur bandgap Ultra-sudhut, ngidini kanggo voltase risak luwih lan operasi efisien ing lingkungan daya dhuwur.
•Konduktivitas Thermal Dhuwur: Lapisan epitaxial nyedhiyakake konduktivitas termal sing apik banget, njamin operasi sing stabil sanajan ing kahanan suhu dhuwur, saengga cocog kanggo piranti frekuensi dhuwur.
•Kualitas Bahan Unggul: Entuk kualitas kristal sing dhuwur kanthi cacat minimal, njamin kinerja piranti sing optimal lan umur dawa, utamane ing aplikasi kritis kayata transistor daya lan detektor UV.
•Versatility ing Aplikasi: Cocog banget kanggo elektronika daya, aplikasi RF, lan optoelektronik, nyedhiyakake dhasar sing dipercaya kanggo piranti semikonduktor generasi sabanjure.
Nemokake potensial sakaGa2O3Epitaksikaro solusi inovatif Semicera. Produk epitaxial kita dirancang kanggo nyukupi standar kualitas lan kinerja sing paling dhuwur, supaya piranti bisa digunakake kanthi efisiensi lan linuwih. Pilih Semicera kanggo teknologi semikonduktor mutakhir.
| barang | Produksi | Riset | goblok |
| Parameter Kristal | |||
| Politipe | 4H | ||
| Kesalahan orientasi lumahing | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Listrik | |||
| Dopan | Nitrogen tipe n | ||
| Resistivity | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter Mekanik | |||
| Dhiameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| kekandelan | 350±25 μm | ||
| Orientasi flat utama | [1-100]±5° | ||
| Dawane warata utami | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Flat sekunder | ora ana | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| gandhewo | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran ngarep (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadhetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas ngarep | |||
| Ngarep | Si | ||
| Rampung lumahing | Si-face CMP | ||
| partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Dawane kumulatif ≤Diameter | Kumulatif dawa≤2 * Diameter | NA |
| Kulit jeruk / pit / noda / striations / retak / kontaminasi | ora ana | NA | |
| Pinggir chip / indents / fraktur / piring hex | ora ana | ||
| Wilayah politipe | ora ana | Area kumulatif≤20% | Area kumulatif≤30% |
| Tandha laser ngarep | ora ana | ||
| Kualitas mburi | |||
| Rampung mburi | C-pasuryan CMP | ||
| Goresan | ≤5ea/mm, Kumulatif length≤2 * Diameter | NA | |
| Cacat mburi (keripik pinggir / indentasi) | ora ana | ||
| Kekasaran mburi | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Tandha laser mburi | 1 mm (saka pinggir ndhuwur) | ||
| Pinggir | |||
| Pinggir | Chamfer | ||
| Kemasan | |||
| Kemasan | Epi-siap karo kemasan vakum Kemasan kaset multi-wafer | ||
| * Cathetan: "NA" tegese ora ana panjaluk. | |||
