Wafer GaAs|Wafer GaAs Epi|Substrat Galllium Arsenide

Wafer GaAs|Wafer GaAs Epi|Gambar Unggulan Substrat Galllium Arsenide

Katrangan singkat:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. minangka pemasok utama sing duwe spesialisasi ing wafer lan bahan semikonduktor canggih.Kita darmabakti kanggo nyedhiyakake produk sing berkualitas, dipercaya, lan inovatif kanggo manufaktur semikonduktor, industri fotovoltaik lan lapangan liyane sing gegandhengan.

Lini produk kita kalebu produk grafit sing dilapisi SiC / TaC lan produk keramik, nyakup macem-macem bahan kayata silikon karbida, silikon nitrida, lan aluminium oksida lan sapiturute.

Saiki, kita mung siji-sijine pabrikan sing nyedhiyakake kemurnian 99.9999% lapisan SiC lan 99.9% karbida silikon sing direkristalisasi.Dawane lapisan SiC maksimal sing bisa ditindakake 2640mm.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Substrat GaAs dipérang dadi konduktif lan semi-insulating, sing akeh digunakake ing laser (LD), semikonduktor light-emitting diode (LED), laser near-infrared, kuantum well-power laser lan panel solar efisiensi dhuwur.Kripik HEMT lan HBT kanggo radar, gelombang mikro, gelombang milimeter utawa komputer lan komunikasi optik kanthi kacepetan ultra dhuwur;Piranti frekuensi radio kanggo komunikasi nirkabel, 4G, 5G, komunikasi satelit, WLAN.

Bubar, substrat gallium arsenide uga wis nggawe kemajuan gedhe ing mini-LED, Micro-LED, lan LED abang, lan akeh digunakake ing piranti AR / VR wearable.

Dhiameter 晶片直径	50 mm \|75 mm \|100 mm \|150 mm
Metode Pertumbuhan 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Ketebalan Wafer 厚度	350 um ~ 625 um
Orientasi 晶向	<100> / <111> / <110> utawa liyane
Tipe Konduktif 导电类型	P - jinis / N - jinis / Semi-isolasi
Tipe / Dopan 掺杂剂	Zn / Si / undoped
Konsentrasi Carrier 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Resistivity ing RT 室温电阻率(ohm•cm)	≥1E7 kanggo SI
mobilitas 迁移率(cm2/V•Detik)	≥4000
EPD (Etch Pit Density) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Bow / Warp 翘曲度	≤ 20 um
Lumahing Rampung 表面	DSP/SSP
Tandha Laser 激光码
sasmita 等级	Epi polesan grade / mechanical grade