Substrat Silicon Carbide|Wafer SiC

Substrat Silicon Carbide|SiC Wafers Gambar Unggulan

Katrangan singkat:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. minangka pemasok utama sing duwe spesialisasi ing wafer lan bahan semikonduktor canggih.Kita darmabakti kanggo nyedhiyakake produk sing berkualitas, dipercaya, lan inovatif kanggo manufaktur semikonduktor, industri fotovoltaik lan lapangan liyane sing gegandhengan.

Lini produk kita kalebu produk grafit sing dilapisi SiC / TaC lan produk keramik, nyakup macem-macem bahan kayata silikon karbida, silikon nitrida, lan aluminium oksida lan sapiturute.

Saiki, kita mung siji-sijine pabrikan sing nyedhiyakake kemurnian 99.9999% lapisan SiC lan 99.9% karbida silikon sing direkristalisasi.Dawane lapisan SiC maksimal sing bisa ditindakake 2640mm.

Kirimi email kanggo kita

Detail Produk

Tag produk

Silicon carbide (SiC) materi kristal tunggal nduweni jembar celah pita gedhe (~ Si 3 kali), konduktivitas termal dhuwur (~ Si 3,3 kali utawa GaAs 10 kali), tingkat migrasi saturasi elektron dhuwur (~ Si 2,5 kali), listrik rusak dhuwur lapangan (~ Si 10 kaping utawa GaAs 5 kaping) lan ciri pinunjul liyane.

Piranti SiC nduweni kaluwihan sing ora bisa diganti ing bidang suhu dhuwur, tekanan dhuwur, frekuensi dhuwur, piranti elektronik daya dhuwur lan aplikasi lingkungan sing ekstrem kayata aerospace, militer, energi nuklir, lan liya-liyane, nggawe cacat piranti bahan semikonduktor tradisional ing praktis. aplikasi, lan mboko sithik dadi arus utama semikonduktor daya.

Spesifikasi substrat silikon karbida 4H-SiC

Item 项目	Spesifikasi
Politipe 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Dhiameter 晶圆直径	2 inchi \|3 inchi \|4 ing \|6 inch	2 inchi \|3 inchi \|4 ing \|6 inch
kekandelan 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Konduktivitas 导电类型	N – tipe / Semi-isolasi N型导电片/ 半绝缘片	N – tipe / Semi-isolasi N型导电片/ 半绝缘片
Dopan 掺杂剂	N2 (Nitrogen)V (Vanadium)	N2 (Nitrogen) V (Vanadium)
Orientasi 晶向	Ing sumbu <0001> Sumbu mati <0001> mati 4°	Ing sumbu <0001> Sumbu mati <0001> mati 4°
Resistivity 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Kapadhetan micropipe (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Bow / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
lumahing 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
sasmita 产品等级	Tingkat produksi / riset	Tingkat produksi / riset
Urutan Numpuk Kristal 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parameter kisi 晶格参数	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
Eg/eV(Band-gap) 禁带宽度	3.27 eV	3.02 eV
ε (Konstanta dielektrik) 介电常数	9.6	9.66
Indeks Refraksi 折射率	n0 = 2,719 ne = 2,777	n0 = 2,707 , ne = 2,755

Spesifikasi substrat Silicon Carbide 6H-SiC

Item 项目	Spesifikasi
Politipe 晶型	6H-SiC
Dhiameter 晶圆直径	4 ing \|6 inch
kekandelan 厚度	350μm ~ 450μm
Konduktivitas 导电类型	N – tipe / Semi-isolasi N型导电片/ 半绝缘片
Dopan 掺杂剂	N2 (Nitrogen) V (Vanadium)
Orientasi 晶向	<0001> mati 4°± 0,5°
Resistivity 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (Tipe 6H-N)
Kapadhetan micropipe (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Bow / Warp 翘曲度	≤25 μm
lumahing 表面处理	Si Pasuryan: CMP, Epi-Siap C Face: Semir optik
sasmita 产品等级	Tingkat riset