Semicera kangSiC paddlesdirancang kanggo ekspansi termal minimal, nyediakake stabilitas lan presisi ing proses ing ngendi akurasi dimensi kritis. Iki ndadekake wong becik kanggo aplikasi ngendiwafertundhuk siklus pemanasan lan pendinginan sing bola-bali, amarga kapal wafer njaga integritas struktural, njamin kinerja sing konsisten.
Nggabungake Semicera kangpaddle difusi silikon karbidamenyang jalur produksi sampeyan bakal nambah linuwih proses sampeyan, amarga sifat termal lan kimia sing unggul. Paddles iki sampurna kanggo proses difusi, oksidasi, lan anil, mesthekake yen wafer ditangani kanthi ati-ati lan presisi ing saben langkah.
Inovasi minangka inti saka SemiceraSiC dayungdesain. Paddles iki dirancang kanggo pas seamlessly menyang peralatan semikonduktor ana, nyediakake efficiency nangani meningkat. Struktur entheng lan desain ergonomis ora mung nambah transportasi wafer nanging uga nyuda downtime operasional, nyebabake produksi streamlined.
| Sifat fisik saka Recrystallized Silicon Carbide | |
| Properti | Nilai Khas |
| Suhu kerja (°C) | 1600°C (karo oksigen), 1700°C (lingkungan nyuda) |
| konten SiC | > 99,96% |
| Konten Si gratis | < 0,1% |
| Kapadhetan akeh | 2,60-2,70 g / cm3 |
| Porositas sing katon | < 16% |
| Kekuwatan komprèsi | > 600 MPa |
| Dingin mlengkung kekuatan | 80-90 MPa (20°C) |
| Kekuwatan mlengkung panas | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ekspansi termal @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktivitas termal @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulus elastis | 240 GPa |
| resistance kejut termal | Apik banget |
