Katrangan
Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses lapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing disimpen ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan protèktif SIC.
Fitur Utama
1. Resistance oksidasi suhu dhuwur: resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.
2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.
3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.
4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadhetan | g/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran gandum | μm | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuwatan Felexural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
