Katrangan
Perusahaan kita nyedhiyakakelapisan SiClayanan proses ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane kanthi cara CVD, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bisa bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul Sic kemurnian dhuwur, sing bisa disimpen ing permukaan bahan sing dilapisi kanggo mbentuk aLapisan protèktif SiCkanggo jinis tong minyak epitaxy hy pnotic.
Fitur Utama
1. Resistance oksidasi suhu dhuwur:
resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.
2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.
3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.
4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
| Properti SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadhetan | g/cm³ | 3.21 |
| Kekerasan | kekerasan Vickers | 2500 |
| Ukuran gandum | μm | 2~10 |
| Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuwatan Felexural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
