Lapisan oksida termal saka wafer silikon yaiku lapisan oksida utawa lapisan silika sing dibentuk ing permukaan wafer silikon ing kondisi suhu dhuwur kanthi agen oksidasi.Lapisan oksida termal saka wafer silikon biasane ditanam ing tungku tabung horisontal, lan suhu wutah umume 900 ° C ~ 1200 ° C, lan ana rong mode pertumbuhan "oksidasi udan" lan "oksidasi garing".Lapisan oksida termal minangka lapisan oksida "tuwuh" sing nduweni homogenitas sing luwih dhuwur lan kekuatan dielektrik sing luwih dhuwur tinimbang lapisan oksida sing disimpen ing CVD.Lapisan oksida termal minangka lapisan dielektrik sing apik banget minangka insulator.Ing pirang-pirang piranti basis silikon, lapisan oksida termal nduweni peran penting minangka lapisan pamblokiran doping lan dielektrik permukaan.
Tip: jinis oksidasi
1. Oksidasi garing
Silikon bereaksi karo oksigen, lan lapisan oksida pindhah menyang lapisan basal.Oksidasi garing kudu ditindakake ing suhu 850 nganti 1200 ° C, lan tingkat pertumbuhane kurang, sing bisa digunakake kanggo pertumbuhan gerbang insulasi MOS.Nalika lapisan silikon oksida ultra-tipis kualitas dhuwur dibutuhake, oksidasi garing luwih disenengi tinimbang oksidasi udan.
Kapasitas oksidasi garing: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Oksidasi udan
Cara iki nggunakake campuran hidrogen lan oksigen kemurnian dhuwur kanggo ngobong ing ~1000 ° C, saéngga ngasilake uap banyu kanggo mbentuk lapisan oksida.Senajan oksidasi udan ora bisa gawé minangka lapisan oksidasi kualitas dhuwur minangka oksidasi garing, nanging cukup kanggo digunakake minangka zona isolasi, dibandhingake karo oksidasi garing duwe kauntungan cetha iku wis tingkat wutah luwih.
Kapasitas oksidasi basah: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Cara garing - cara udan - cara garing
Ing cara iki, oksigen garing murni dibebasake menyang tungku oksidasi ing tahap wiwitan, hidrogen ditambahake ing tengah oksidasi, lan hidrogen disimpen ing pungkasan kanggo nerusake oksidasi kanthi oksigen garing murni kanggo mbentuk struktur oksidasi sing luwih padhet tinimbang proses oksidasi udan umum ing wangun uap banyu.
4. TEOS oksidasi
| Teknik Oksidasi | Oksidasi udan utawa oksidasi garing |
| Dhiameter | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Ketebalan Oksida | 100 Å ~ 15µm |
| Toleransi | +/- 5% |
| lumahing | Oksidasi Sisi Tunggal (SSO) / Oksidasi Sisi Ganda (DSO) |
| Tungku | Tungku tabung horisontal |
| Gas | Gas hidrogen lan oksigen |
| Suhu | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Indeks bias | 1.456 |
